細谷 健一 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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細谷 健一
日本電気株式会社
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田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
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天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
天宮 泰
日本電気株式会社
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田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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細谷 健一
Nec システムプラットフォーム研
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田中 慎二
日本電気株式会社
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天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
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丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
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田中 愼一
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
丹羽 隆樹
NEC光・超高周波デバイス研究所
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細谷 健一
NEC光・超高周波デバイス研究所
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天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
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本城 和彦
日本電気株式会社
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本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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肱岡 健一郎
NECエレクトロニクスLSI基礎開発研究所
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泊 史朗
日本電気株式会社
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山口 博史
日本電気株式会社
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岡本 稔
Necエンジニアリング(株)
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大平 理覚
Necシステム実装研究所
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藤田 定男
日本電気株式会社第一伝送通信事業部
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田辺 昭
Necエレクトロニクス(株)
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藤田 定男
NECシステムプラットフォーム研究所
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野田 有秀
NECシステムプラットフォーム研究所
-
藤田 定男
日本電気株式会社エレクトロニクス研究所
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山瀬 知行
日本電気株式会社
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帰山 隼一
日本電気株式会社
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野口 栄実
日本電気株式会社
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山崎 仁
日本電気株式会社
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正田 裕明
日本電気株式会社
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池田 博伸
日本電気株式会社
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高橋 次男
日本電気株式会社
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大平 理覚
日本電気株式会社
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野田 有秀
日本電気株式会社
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川原 信広
日本電気株式会社
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大平 理覚
NEC光デバイス事業部
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本城 和彦
NEC光・超高周波デバイス研究所
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田辺 昭
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス
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肱岡 健一郎
Necエレクトロニクス(株)
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野口 栄実
NECシステムIPコア研究所
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丸橋 建一
日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所
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田中 愼一
Necシステムデバイス研究所
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井上 隆
財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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井上 隆
Nec関西エレクトロニクス研究所
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舟橋 政弘
Nec システムulsi開発本部
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葛原 正明
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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井上 隆
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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大畑 恵一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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丸橋 建一
日本電気株式会社
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嶋脇 秀徳
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 仁
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山之内 慎吾
日本電気(株)
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舟橋 政弘
日本電気(株)
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舟橋 政弘
(株)ミリウェイブ
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大畑 恵一
(株)ミリウェイブ
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細谷 健一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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恩田 和彦
日本電気株式会社化合物デバイス事業部
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恩田 和彦
(株)ミリウェイブ
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大橋 市郎
日本電気株式会社
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山之内 慎吾
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
山之内 慎吾
Necデバイスプラットフォーム研究所
-
葛原 正明
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
-
山之内 慎吾
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
-
井上 隆
日本電気株大会社光・無線デバイス研究所
著作論文
- C-12-38 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-39 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- ミリ波帯AlGaAs/InGaAsヘテロ接合FET MMIC発振器
- EWS4800シリーズ : グラフィックス アクセラレータ
- HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
- (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
- C-2-3 (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音18GHz HBT発振器