本城 和彦 | NECマイクロエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
本城 和彦
日本電気株式会社
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鈴木 康之
日本電気株式会社
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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天宮 泰
日本電気株式会社
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後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
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本城 和彦
NEC光・超高周波デバイス研究所
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矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
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矢野 仁之
Nec光・超高周波デバイス研究所
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田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
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田中 慎二
日本電気株式会社
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鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
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松野 典朗
Necシステムデバイス研究所
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田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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鈴木 康之
NEC光・超高周波デバイス研究所
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鈴木 康之
Nec光・無線デバイス研究所
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安岡 芳久
東海大学電子情報学部
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間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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天宮 泰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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後藤 典夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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金 昌佑
NEC光エレクトロニクス研究所
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本城 和彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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永野 暢雄
NEC光・超高周波デバイス研究所
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村上 誠一
Nec宇宙開発事業部
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後藤 典夫
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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中田 裕之
東海大学 工学部 通信工学科
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松野 典朗
NEC光・無線デバイス研究所
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大久保 直樹
東海大学工学部通信工学科
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早田 和樹
東海大学 工学部 通信工学科
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戸田 鉄
NEC化合物デバイス事業部
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田中 慎一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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本城 和彦
NEC光エレクトロニクス研究所
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清田 春信
京都大学生存圏研究所
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川崎 繁男
宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部
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手塚 宏
Nec C&cメディア研究所
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洲崎 哲行
Nec C&cメディア研究所
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洲崎 哲行
Nec C&cメディア研
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高橋 秀樹
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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金 昌佑
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
天宮 泰
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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嶋脇 秀徳
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
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丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
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永野 暢雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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安岡 芳久
東海大学工学部通信工学科
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安岡 芳久
東海大学 工学部 通信工学科
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大久保 直樹
東海大学 工学部 通信工学科
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清田 春信
東海大学 工学部 通信工学科
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椿 茂樹
NEC化合物デバイス事業部
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松野 典朗
NEC光エレクトロニクス研究所
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矢野 仁之
NEC光エレクトロニクス研究所
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鈴木 康之
NEC光エレクトロニクス研究所
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田中 愼一
NEC光・超高周波デバイス研究所
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丹羽 隆樹
NEC光・超高周波デバイス研究所
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鈴木 康之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
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村上 誠一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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間々田 正行
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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手塚 宏
NEC光エレクトロニクス研究所
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金 昌佑
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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三好 陽介
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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洲崎 哲行
NEC光エレクトロニクス研究所
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田中 慎一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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村上 誠一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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間々田 正行
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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川崎 繁男
東海大学通信工学科
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川崎 繁男
東海大学 工学部 通信工学科
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細谷 健一
日本電気株式会社
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井上 壽明
Nec化合物デバイス事業部
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三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
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細谷 健一
NEC光・超高周波デバイス研究所
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古畑 直規
NEC光エレクトロニクス研究所
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小瀬 泰
NEC化合物デバイス事業部
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矢野 仁之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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鈴木 康之
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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細谷 健一
Nec システムプラットフォーム研
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梶原 昭博
防衛庁技術研究本部 第3研究所
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近藤 秀敏
NECマイクロエレクトロニクス研究所 宇宙開発事業部
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松村 英一
NECマイクロエレクトロニクス研究所 誘導光電事業部
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梶原 昭博
防衛庁 第3研究所
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手塚 宏
日本電気(株)C&Cメディア研究所
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洲崎 哲行
日本電気(株)C&Cメディア研究所
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早田 征明
NEC光エレクトロニクス研究所
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早田 征明
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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高橋 秀樹
NEC光エレクトロニクス研究所
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後藤 典夫
NEC光エレクトロニクス研究所
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羽山 信幸
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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高橋 秀樹
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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高橋 秀樹
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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羽山 信幸
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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矢野 仁之
日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所
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松野 典朗
日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所
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川崎 繁男
東海大学
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川崎 繁男
東海大学電子情報学部電気電子工学科
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清田 春信
東海大学工学部通信工学科
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嶋脇 秀徳
NEC光・超高周波デバイス研究所
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川崎 繁男
東海大学工学部通信工学科
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天宮 泰
NEC 光・無線デバイス研究所
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山崎 仁
NEC光・超高周波デバイス研究所
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山之内 慎吾
日本電気(株)
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田中 愼一
NEC 光エレクトロニクス研究所
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村上 誠一
NEC 光エレクトロニクス研究所
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間々田 正行
NEC 光エレクトロニクス研究所
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嶋脇 秀徳
NEC 光エレクトロニクス研究所
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後藤 典夫
NEC 光エレクトロニクス研究所
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本城 和彦
NEC 光エレクトロニクス研究所
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古畑 直規
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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山崎 仁
NECデバイスプラットフォーム研究所
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川崎 繁男
宇宙航空研究開発機構
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手塚 宏
光エレクトロニクス研究所
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洲崎 哲行
光エレクトロニクス研究所
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永野 暢雄
NEC光エレクトロニクス研究所
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川崎 繁男
京大
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安岡 芳久
東海大学通信工学科
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早田 和樹
東海大学通信工学科
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中田 裕之
東海大学通信工学科
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大久保 直樹
東海大学通信工学科
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金近 正之
スタンレー電気株式会社
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平田 圭一
スタンレー電気株式会社
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早田 和樹
東海大学工学部通信工学科
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中田 裕之
東海大学工学部通信工学科
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鈴木 康之
東海大学 工学部 通信工学科
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川崎 繁男
NEC光・超高周波デバイス研究所
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永野 暢雄
マイクロエレクトロニクス研究所
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本城 和彦
マイクロエレクトロニクス研究所
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平山 知央
NEC光・無線デバイス研究所
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渡辺 寿郎
NEC化合物デバイス事業部
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古畑 直規
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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山之内 慎吾
NEC光・超高周波デバイス研究所
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川{サキ} 繁男
東海大学工学部通信工学科
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加藤 洋丈
東海大学工学部通信工学科
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松野 典朗
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
平田 圭一
スタンレー電気株式会社研究開発センター
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早田 征明
日本電気(株)c&c Lsi開発本部
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山之内 慎吾
Necデバイスプラットフォーム研究所
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手塚 宏
日本電気(株)c&cメディア研究所
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永野 暢雄
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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矢野 仁之
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
矢野 仁之
日本電気株式会社
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山之内 慎吾
日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所
著作論文
- 94GHz帯HBT MMIC増幅器
- 61%付加電力効率を有するディジタル携帯電話用高出力AlGaAs/GaAs HBT
- ディジタル携帯電話用高効率・高線形高出力AlGaAs/GaAs HBT
- 移動体通信用パワーHBTの熱解析と電力特性
- 35GHz帯1W高出力HBT増幅器
- 高出力・高効率K帯HBT
- 42%付加電力効率を有する26GHz帯高出力HBT
- 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討
- P+再成長外部ベースを有するHBTプリアンプ
- スパイラルコイルを用いた20Gb/s HBTプリアンプIC
- HBTによる10Gb/sクロック抽出用IC
- AlGaAs/GaAs HBT 2OGb/s変調器駆動回路
- C-2-29 強結合法を用いた23GHz帯アクティブ集積アンテナアレイの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 携帯電話用Si Power MOSFETの歪み特性
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- 隣接チャネル漏洩電力の解析
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- p^再成長外部ベースを有するマイクロ波ミリ波高出力HBT
- HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
- (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
- 部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
- MMIC発振器を用いたセラミック基板上のアクティブ集積アンテナアレイ
- MMIC発振器を用いた小型アクティブ集積アンテナアレイ
- 25GHz帯HBT高出力増幅回路の検討
- 900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
- 900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
- 高出力Siバイポーラトランジスタにおける歪解析
- 0.5μmゲートHJFETを用いた2.4GHz帯PLLIC
- マイクロ波トランジスタ, (社)電子情報通信学会(編), 高山洋一郎(著), "マイクロ波トランジスタ", (社)電子情報通信学会(1998-12), A5判, 定価(本体3,800円+税)
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ