後藤 典夫 | NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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後藤 典夫
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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本城 和彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
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嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
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天宮 泰
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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嶋脇 秀徳
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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天宮 泰
日本電気株式会社
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鈴木 康之
日本電気株式会社
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田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
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村上 誠一
Nec宇宙開発事業部
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金 昌佑
NEC光エレクトロニクス研究所
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金 昌佑
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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田中 慎二
日本電気株式会社
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田中 慎一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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村上 誠一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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間々田 正行
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
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鈴木 康之
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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高橋 秀樹
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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羽山 信幸
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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高橋 秀樹
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
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古畑 直規
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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永野 暢雄
NEC光・超高周波デバイス研究所
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古畑 直規
NEC光エレクトロニクス研究所
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矢野 仁之
Nec光・超高周波デバイス研究所
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永野 暢雄
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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矢野 仁之
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
著作論文
- ディジタル携帯電話用高効率・高線形高出力AlGaAs/GaAs HBT
- 42%付加電力効率を有する26GHz帯高出力HBT
- 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討
- 高出力Siバイポーラトランジスタにおける歪解析
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ