高出力Siバイポーラトランジスタにおける歪解析

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概要

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近年、携帯電話などのパーソナル移動体通信システムの実用化が急速に進んでいる。変調方式においてはデジタル化が進み、パワーモジュールにおいては低コスト、低電圧化、高効率化と共に低歪化の要求が大きくなってきている。今回、我々は高出力Siバイーポーラトランジスタのデバイスパラメータとπ/4シフトOPSK変調における歪特性の相関について、解析を行った。また、歪特性のエミッタ接地とベース接地の違いについても検討したので報告する。
1995-09-05

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