低電圧・高効率動作L帯パワーAlGaAs/GaAsHBT
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概要
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近年、AlGaAs/GaAsHBTは、高出力素子としての応用検討が精力的に進められている。これはHBTが他のパワー素子に比し、単一正電源動作が可能であること、電力密度が高いためチップ面積の縮小が可能であることによる。こう言ったHBTの特徴はパーソナル移動体通信機器の小型化、長時間動作等に大きく寄与するものと期待されている。今回、我々は自己整合型AlGaAs/GaAsHBTを試作し、周波数1.5GHz、電源電圧3Vにおいて電力付加効率75%を達成し、また歪特性も評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
後藤 典夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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高橋 秀樹
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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金 昌佑
NEC光エレクトロニクス研究所
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金 昌佑
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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高橋 秀樹
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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羽山 信幸
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
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