26GHz帯高出力増幅器
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概要
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今回、ミリ波帯で優れた特性が期待できる電力増幅素子HBT(Hetero Junction Bipolar Transistor)を用いた増幅器を試作し、26GHz帯で1.4Wの出力が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
田中 慎一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
後藤 典夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
谷島 正信
宇宙開発事業団 衛星総合システム本部 WINDSプロジェクトチーム
-
田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
田中 慎二
日本電気株式会社
-
久田 安正
宇宙開発事業団
-
谷島 正信
宇宙開発事業団技術研究本部
-
谷島 正信
宇宙開発事業団
-
手蓑 隆二
宇宙開発事業団
-
後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
石田 有二
NEC宇宙開発事業部
-
高橋 寿俊
NEC宇宙開発事業部
-
久田 安正
宇宙開発事業団 技術研究本部 要素技術研究部
-
田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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