p^<++>再成長外部ベースを有するマイクロ波ミリ波高出力HBT
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概要
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マイクロ波帯以上の帯域における高出力素子への要求は、マイクロ波帯では携帯電話等に移動通信端末を中心に大きな広がりを見せている。それに加え、近年ではミリ波帯(3OGHz〜300GHz)に対しても、衛星間通信、ミリ波LAN、自動車衝突防止レーダー、リモートセンシング等の応用が見られるようになってきており、ミリ波応用が可能な高出力素子への要求も高まっている。当社では、AlGaAs/GaAs系HBTの高速化を、超高不純物濃度の外部ベース層(p^<++>-GaAs)を選択再成長技術で形成することにより実現してきた。従来、準ミリ波帯用高出力素子はこのタイプのHBTを用いて作成してきたが、今回は最近の成果を報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
天宮 泰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
後藤 典夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
金 昌佑
NEC光エレクトロニクス研究所
-
金 昌佑
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
三好 陽介
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎二
日本電気株式会社
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
-
古畑 直規
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
古畑 直規
NEC光エレクトロニクス研究所
-
田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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