高出力・高効率K帯HBT
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概要
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K帯で動作する高出力HBTを実現するためには、単体エミッタの最大発振周波数(f_<max>)を向上させ、更にそれを最大限に活かす最適素子レイアウトを検討する必要がある。本報告では、外部べース層を選択再成長してベース抵抗を低減することにより高f_<max>化を図り、さらに幾つかの接地構成やエミッタの寸法・構造について特性の比較評価を行った。その結果、最適構造のベース接地型HBTにおいて、25GHzで飽和出力740mW(電力密度4.0mW/μm^2)、付加電力効率42%という良好な基本セル性能が得られた。本結果より今後HBTのK帯応用の進展が期待される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-06-27
著者
-
嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
村上 誠一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
天宮 泰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎一
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
間々田 正行
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
後藤 典夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
村上 誠一
Nec宇宙開発事業部
-
田中 慎二
日本電気株式会社
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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