移動体通信用パワーHBTの熱解析と電力特性
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概要
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AlGaAs/GaAs HBTを高出力素子として応用するため、コレクタ電流の温度依存性を考慮した3次元熱解析を行い、放熱特性の幾何学的パラメタ依存性を評価した。この熱解析に基づいてパターンを設計し、H^+イオン注入コレクタ層(コレクタオフセット電圧の低減用)を含む自己整合型HBTを作製し、温度特性及び歪特性を含むRF特性を評価した。作製のHBTは熱的に安定に動作しており、2×20μm^2×15エミッタ×4列のHBTでは、周波数948MHz、電源電圧3Vにおいて、出力電力31.7dBm、付加電力効率46%、50-kHz離調の隣接チャネル漏洩電力-49dBcが得られ、HBTが低電圧動作のディジタル携帯電話用高出力素子として有望であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-07-25
著者
-
後藤 典夫
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
高橋 秀樹
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
羽山 信幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
金 昌佑
NEC光エレクトロニクス研究所
-
金 昌佑
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
三好 陽介
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
高橋 秀樹
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
羽山 信幸
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
三好 陽介
Nec化合物デバイス事業部
-
後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
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