部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-07
著者
-
本城 和彦
日本電気株式会社
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
田中 慎二
日本電気株式会社
-
嶋脇 秀徳
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
天宮 泰
NECデバイスプラットフォーム研究所
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
丹羽 隆樹
NEC化合物デバイス事業部
-
本城 和彦
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
田中 愼一
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
丹羽 隆樹
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
-
田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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