丹羽 隆樹 | NEC光・超高周波デバイス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC光・超高周波デバイス研究所の論文著者

関連著者

• 天宮 泰

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 嶋脇 秀徳

  Nec化合物デバイス事業部

• 天宮 泰

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 天宮 泰

  日本電気株式会社

• 丹羽 隆樹

  NEC化合物デバイス事業部

• 丹羽 隆樹

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 天宮 泰

  Nec光・無線デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 間々田 正行

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 鈴木 康之

  日本電気株式会社

• 鈴木 康之

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 永野 暢雄

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 鈴木 康之

  Nec光・無線デバイス研究所

• 田中 慎一

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 田中 愼一

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 田中 愼一

  芝浦工業大学工学部

• 本城 和彦

  日本電気株式会社

• 本城 和彦

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 田中 慎二

  日本電気株式会社

• 鈴木 康之

  Nec 光・無線デバイス研究所

• 細谷 健一

  日本電気株式会社

• 本城 和彦

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 細谷 健一

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 細谷 健一

  Nec システムプラットフォーム研

• 田中 愼一

  Necシステムデバイス研究所

• 山崎 仁

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山之内 慎吾

  日本電気(株)

• 山崎 仁

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 山之内 慎吾

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 百々 秀彰

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 百々 秀彰

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 後藤 典夫

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山之内 慎吾

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 山之内 慎吾

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

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著作論文

• HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
• (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
• C-2-3 (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音18GHz HBT発振器
• 部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• p^+外部ベース再成長AlGaAs/InGaAs HBTを用いた50GHzダイナミック分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTの高速化と40GHz分周器への応用
• 外部ベース選択成長技術を用いたAlGaAs/InGaAs HBTのマイクロ波雑音特性 : マイクロ波帯低雑音HBT

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