嶋脇 秀徳 | Nec Ulsiデバイス開発研究所

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概要

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• Nec Ulsiデバイス開発研究所の論文著者

関連著者

• 嶋脇 秀徳

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 嶋脇 秀徳

  Nec化合物デバイス事業部

• 天宮 泰

  日本電気株式会社

• 間々田 正行

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 本城 和彦

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 田中 慎一

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC化合物デバイス事業部

• 田中 愼一

  芝浦工業大学工学部

• 田中 慎二

  日本電気株式会社

• 天宮 泰

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 天宮 泰

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 天宮 泰

  Nec光・無線デバイス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 後藤 典夫

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 鈴木 康之

  日本電気株式会社

• 永野 暢雄

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 天宮 泰

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 村上 誠一

  Nec宇宙開発事業部

• 嶋脇 秀徳

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 後藤 典夫

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 鈴木 康之

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 鈴木 康之

  Nec光・無線デバイス研究所

• 本城 和彦

  日本電気株式会社

• 田中 慎一

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 西村 武史

  NEC化合部デバイス事業部

• 田能村 昌宏

  NEC化合部デバイス事業部

• 東 晃司

  NEC化合部デバイス事業部

• 嶋脇 秀徳

  NEC化合部デバイス事業部

• 西村 武史

  Nec化合物デバイス事業部

• 三好 陽介

  Nec化合物デバイス事業部

• 田中 愼一

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 東 晃司

  Nec化合物デバイス事業部

• 播磨 史生

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 三好 陽介

  NEC化合部デバイス事業部

• 播磨 史生

  NEC化合部デバイス事業部

• 金 昌佑

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 後藤 典夫

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 本城 和彦

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 鈴木 康之

  Nec 光・無線デバイス研究所

• 天宮 泰

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 細谷 健一

  日本電気株式会社

• 本城 和彦

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 細谷 健一

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 細谷 健一

  Nec システムプラットフォーム研

• 村上 誠一

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 間々田 正行

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 岩田 直高

  NEC化合物デバイス事業部

• 岩田 直高

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 岩田 直高

  日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所

• 川中 雅史

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 川中 雅史

  NEC光・無線デバイス研究所

• 金 昌佑

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 田能村 昌宏

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 矢野 仁之

  NEC光・無線デバイス研究所

• 天宮 泰

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 田中 慎一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 村上 誠一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 間々田 正行

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 黒沢 直人

  NEC化合物デバイス事業部

• 永野 暢雄

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 百々 秀彰

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 古畑 直規

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 鈴木 康之

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 矢野 仁之

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 梶原 昭博

  防衛庁技術研究本部 第3研究所

• 近藤 秀敏

  NECマイクロエレクトロニクス研究所 宇宙開発事業部

• 松村 英一

  NECマイクロエレクトロニクス研究所 誘導光電事業部

• 梶原 昭博

  防衛庁 第3研究所

• 丸橋 建一

  日本電気株式会社デバイスプラットフォーム研究所

• 田中 愼一

  Necシステムデバイス研究所

• 田原 修一

  NEC基礎研究所

• 吉武 務

  NEC基礎研

• 尾藤 康則

  NEC化合物デバイス事業部

• 富田 正俊

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• Hau Gary

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• 手塚 宏

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 高橋 秀樹

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 尾藤 康則

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 富田 正俊

  NEC化合部デバイス事業部

• Hau Gary

  NEC化合部デバイス事業部

• 佐藤 博幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 高橋 秀樹

  NEC光・無線デバイス研究所

• 吉田 貞義

  NEC化合物デバイス事業部

• 金 昌佑

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 三好 陽介

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 田原 修一

  NECシステムデバイス研究所

• 松永 高治

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 松永 高治

  財団法人新機能素子研究開発協会:日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 洲崎 哲行

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 折橋 直行

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 伊東 正治

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 丸橋 建一

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 濱田 康宏

  日本電気株式会社ビジネスイノベーションセンター

• 岸本 修也

  日本電気株式会社ビジネスイノベーションセンター

• 伊東 正治

  日本電気株式会社ビジネスイノベーションセンター

• 折橋 直行

  日本電気株式会社ビジネスイノベーションセンター

• Gary HAU

  NEC関西エレクトロニクス研究所

• Gary Hau

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 丸橋 建一

  日本電気株式会社

• 丸橋 建一

  Nec関西エレクトロニクス研究所

• 大田 一樹

  Nec

• 山崎 仁

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山之内 慎吾

  日本電気(株)

• 松永 高治

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 大田 一樹

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 田中 愼一

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 村上 誠一

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 間々田 正行

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 後藤 典夫

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 本城 和彦

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 古畑 直規

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 伊東 正治

  日本電気株式会社

• 山崎 仁

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 大平 理覚

  日本電気株式会社

• 丹羽 隆樹

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 吉田 周平

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 田原 修一

  Nec システムデバイス研

• 中井 一人

  NEC化合物デバイス事業部

• 黒澤 直人

  NEC化合物デバイス事業部

• 長谷川 安昭

  NEC化合物デバイス事業部

• Hau Gary

  Nec化合物デバイス事業部

• 岸本 修也

  日本電気株式会社

• 折橋 直行

  日本電気株式会社

• 手塚 宏

  Nec C&cメディア研究所

• 古畑 直規

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 村瀬 康裕

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 山之口 勝己

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 大田 一樹

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 山之内 慎吾

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 天宮 泰

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 間々田 正行

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 田中 慎一

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC光、超高周波デバイス研究所

• 百々 秀彰

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 大平 理覚

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 福知 清

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 洲崎 哲行

  Nec C&cメディア研究所

• 洲崎 哲行

  Nec C&cメディア研

• 矢野 仁之

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 濱田 康宏

  日本電気株式会社

• 山之内 慎吾

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 吉田 貞義

  Nec化合物デバイス

• 鈴木 康之

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 永野 暢雄

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 矢野 仁之

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 松永 高治

  日本電気株式会社システムipコア研究所

• 吉武 務

  NEC基礎研究所

• 松永 高治

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

• 山之内 慎吾

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

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著作論文

• 94GHz帯HBT MMIC増幅器
• C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
• C-10-7 移動体通信端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(I) : 信頼性と1.9GH_z CDMA入出力特性
• 60GHz帯CMOS増幅器とトランシーバ技術
• 12-GHz帯YBCO共振器-AlGaAs/GaAs HBTハイブリッド発振器
• 35GHz帯1W高出力HBT増幅器
• 高出力・高効率K帯HBT
• 42%付加電力効率を有する26GHz帯高出力HBT
• 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討
• P+再成長外部ベースを有するHBTプリアンプ
• C-10-2 W-CDMA端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(II) : 1.95GHz W-CDMA端末用高出力モジュール特性
• C-10-1 W-CDMA端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器 (I)
• p^再成長外部ベースを有するマイクロ波ミリ波高出力HBT
• C-10-6 シリコン基板上に形成した車載レーダ用76GHz帯GaN増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
• (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
• C-2-3 (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音18GHz HBT発振器
• マイクロ波帯におけるHBTの低雑音化
• 部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
• p^+外部ベース再成長AlGaAs/InGaAs HBTを用いた50GHzダイナミック分周器
• AlGaAs/InGaAs微細HBTの高速化と40GHz分周器への応用
• 外部ベース選択成長技術を用いたAlGaAs/InGaAs HBTのマイクロ波雑音特性 : マイクロ波帯低雑音HBT
• AlGaAs/InGaAs HBTを用いた40Gb/s伝送用分布型増幅器ICモジュール
• 25GHz帯HBT高出力増幅回路の検討
• 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
• 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ

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