金 昌佑 | NEC マイクロエレクトロニクス研究所

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概要

• 同名の論文著者
• NEC マイクロエレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 本城 和彦

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 金 昌佑

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 金 昌佑

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 後藤 典夫

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 本城 和彦

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 後藤 典夫

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 田中 慎一

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 村上 誠一

  Nec宇宙開発事業部

• 高橋 秀樹

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 羽山 信幸

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 高橋 秀樹

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 田中 慎二

  日本電気株式会社

• 嶋脇 秀徳

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 嶋脇 秀徳

  Nec化合物デバイス事業部

• 田中 慎一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 村上 誠一

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 天宮 泰

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 間々田 正行

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 古畑 直規

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 天宮 泰

  日本電気株式会社

• 間々田 正行

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 古畑 直規

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 田中 愼一

  芝浦工業大学工学部

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著作論文

• ディジタル携帯電話用高効率・高線形高出力AlGaAs/GaAs HBT
• 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討

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