再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討
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概要
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高濃度Cドープ選択再成長外部ベース構造によるベース抵抗の低減と真性ベース層の薄層化・組成傾斜化によるベース走行時間の短縮を特徴とするミリ波対応の高maxHBTについて,プロセスが簡易なラテラル型再成長コンタクトを用いて素子を試作し,従来のプレーナ型再成長コンタクトと素子特性および再成長界面の接触特性を比較した。高周波特性は両コンタクト型で同等で、ラテラル型でも200GHzを超えるFmaxを達成した。再結合素子周辺部のリーク電流の違いから直流電流利得はプレーナ型が有利である。また再成長界面の接触抵抗率は両コンタクト型で10^<-7>Ωcm^2台前半の良好な値であり,真性ベースを40nm厚まで簿層化しても電気的接続の劣化は認められない。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-17
著者
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
村上 誠一
Nec宇宙開発事業部
-
金 昌佑
NEC光エレクトロニクス研究所
-
金 昌佑
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
後藤 典夫
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
本城 和彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎二
日本電気株式会社
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
田中 慎一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
村上 誠一
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
天宮 泰
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
間々田 正行
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
古畑 直規
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
古畑 直規
NEC光エレクトロニクス研究所
-
田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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