P+再成長外部ベースを有するHBTプリアンプ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
マルチメディア化の急速な進展により、超高速大容量光通信システムの整備が急務である。化合物HBTは高速性と高電流駆動性より超高速回路の構成素子として期待される。今回我々は200GHz以上の高いfmax実現されるP+再成長外部ベースHBTを用いて光受信器のキー回路となるプリアンプを設計・試作した。オンウエハ評価より、素子の高速性を反映した20GHzを越える優れた増幅器特性を実現したので報告する。
- 1995-09-05
著者
-
嶋脇 秀徳
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
天宮 泰
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
-
手塚 宏
NEC光エレクトロニクス研究所
-
洲崎 哲行
NEC光エレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
永野 暢雄
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
手塚 宏
Nec C&cメディア研究所
-
永野 暢雄
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
洲崎 哲行
Nec C&cメディア研究所
-
洲崎 哲行
Nec C&cメディア研
-
鈴木 康之
NECマイクロエレクトロニクス研究所
関連論文
- 94GHz帯HBT MMIC増幅器
- C-12-38 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(1)(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-39 65nmCMOSを用いた大容量光通信向け40-Gb/sトランシーバ(2)(C-12.集積回路,一般セッション)
- 基幹光伝送用高スループット誤り訂正LSI
- 広帯域光アクセスシステムによるマルチメディアサービスのハイブリッド収容
- SiGe/Siフォトディテクタ搭載1Gb/sx8チャネルSi-OEICの開発
- GTTH(Gigabit To The Home)におけるチャネル識別方法の検討
- 多種デジタル放送が収容可能なGTTH放送システムの開発
- SiGe/Siフォトディテクタ搭載1 Gb/s動作8チャネル並列光伝送型OEIC
- GTTH(Gigabit To The Home)における多重分離方式に関する検討
- 3.3V動作2.4Gb/s光通信用1チップレシーバIC
- GTTH(Gigabit To The Home) : 超広帯城フレキシブル光アクセスシステム
- マルチメディア時代へ向けた高速光通信用Si-ICの開発
- ギガビット動作CMOS-DEMUX
- C-10-8 移動体通信端末用InGaP/GaAsHBT高出力増幅器(II) : 1.9GHz CDMA端末用高出力モジュール特性
- C-10-7 移動体通信端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(I) : 信頼性と1.9GH_z CDMA入出力特性
- 61%付加電力効率を有するディジタル携帯電話用高出力AlGaAs/GaAs HBT
- ディジタル携帯電話用高効率・高線形高出力AlGaAs/GaAs HBT
- 移動体通信用パワーHBTの熱解析と電力特性
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- C-2-30 Ku帯オンチップマッチSi MOSFET MMIC
- 微細MOSFETを用いたSPSTスイッチ
- シリコン上のスパイラルインダクタのモデリング
- 2.4Gb/s CMOSクロックリカバリ機能付き1:8DMUX
- 3Gb/s CMOS 8:1マルチプレクサ
- 60GHz帯CMOS増幅器とトランシーバ技術
- 分極電荷中和構造を用いた高い閾値制御性を有するAlGaN/GaN HFET
- 大容量ディジタル画像分配系の検討 : 超小型10Gbps光受信端末を用いた時分割データビット多重・分離方式の開発 : 無線・光伝送
- 大容量ディジタル画像分配系の検討 : 超小型10Gbps光受信端末を用いた時分割データビット多重・分離方式の開発
- 12-GHz帯YBCO共振器-AlGaAs/GaAs HBTハイブリッド発振器
- 1.5V低電圧60Gb/s D-F/F回路
- C-4-16 導波路型アバランシェ・フォトダイオードを用いた高感度 40Gb/s-APD 光受信器
- 35GHz帯1W高出力HBT増幅器
- 高出力・高効率K帯HBT
- 42%付加電力効率を有する26GHz帯高出力HBT
- 再成長外部ベース層を有するミリ波高出力HBTの ベースコンタクトの検討
- 小型・低コスト光受信モジュール用2.4Gb/s 2R 1チップIC
- SiGe-ICを用いた20 Gb/s光送受信器(長距離・大容量光通信技術論文小特集)
- 2.4Gb/s光通信用1チップレシーバIC
- Si-lCを用いた20Gb/s光送受信器
- 20Gb/s光送信器用SiGe-HBTディジタルIC
- 20Gb/s光受信器用アナログSi-IC
- 2.4Gbit/s 1チツプ小型光受信器
- 2.4Gb/s光通信用16:1MUX、1:16DMUX
- P+再成長外部ベースを有するHBTプリアンプ
- 分散補償ファイバを用いた20Gb/s 125km-SMF無中継伝送実験
- スパイラルコイルを用いた20Gb/s HBTプリアンプIC
- エルビウム添加光ファイバプリアンプを用いた光受信器の最適設計の検討
- HBTによる10Gb/sクロック抽出用IC
- AlGaAs/GaAs HBT 2OGb/s変調器駆動回路
- BCS-2-7 超高速光通信向け電気分散補償技術(BCS-2.超高速光通信システムの鍵を握る分散補償技術,シンポジウム)
- BCS-2-7 超高速光通信向け電気分散補償技術(BCS-2.超高速光通信システムの鍵を握る分散補償技術,シンポジウム)
- 40Gb/s信号向け広帯域波形イコライザモジュールの開発および波長多重長距離光伝送実験系での動作検証(高効率FEC,電気処理による分散・PMD補償技術,波形モニタリング,一般)
- B-10-38 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた電気分散補償器制御(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- B-10-34 43Gb/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定方法(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- C-10-2 W-CDMA端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器(II) : 1.95GHz W-CDMA端末用高出力モジュール特性
- C-10-1 W-CDMA端末用InGaP/GaAs HBT高出力増幅器 (I)
- C-2-29 強結合法を用いた23GHz帯アクティブ集積アンテナアレイの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 携帯電話用Si Power MOSFETの歪み特性
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- 隣接チャネル漏洩電力の解析
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- p^再成長外部ベースを有するマイクロ波ミリ波高出力HBT
- 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定と電気分散補償器制御(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定と電気分散補償器制御(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- 43Gbit/sアイ開口モニタLSIを用いた分散量推定と電気分散補償器制御(フォトニックNWシステム・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-12-50 アイ開ロモニタを用いた自動識別点制御可能な40Gb/s CDR(C-12.集積回路,一般セッション)
- C-10-6 シリコン基板上に形成した車載レーダ用76GHz帯GaN増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
- (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
- C-2-3 (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音18GHz HBT発振器
- マイクロ波帯におけるHBTの低雑音化
- 部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- p^+外部ベース再成長AlGaAs/InGaAs HBTを用いた50GHzダイナミック分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTの高速化と40GHz分周器への応用
- 外部ベース選択成長技術を用いたAlGaAs/InGaAs HBTのマイクロ波雑音特性 : マイクロ波帯低雑音HBT
- AlGaAs/InGaAs HBTを用いた40Gb/s伝送用分布型増幅器ICモジュール
- MMIC発振器を用いたセラミック基板上のアクティブ集積アンテナアレイ
- C-3-140 レセプタクル構造 40Gb/s 超小型受光フロントエンドモジュール
- GaAs HBT-ICモジュールを用いた40Gb/s RZ光パルス受信実験
- MMIC発振器を用いた小型アクティブ集積アンテナアレイ
- 25GHz帯HBT高出力増幅回路の検討
- 900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
- 900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
- 高出力Siバイポーラトランジスタにおける歪解析
- 0.5μmゲートHJFETを用いた2.4GHz帯PLLIC
- マイクロ波トランジスタ, (社)電子情報通信学会(編), 高山洋一郎(著), "マイクロ波トランジスタ", (社)電子情報通信学会(1998-12), A5判, 定価(本体3,800円+税)
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ