ディジタル携帯電話用高効率・高線形高出力AlGaAs/GaAs HBT
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概要
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ディジタル携帯電話送信用パワーアンプでは、高効率化、低歪化と共に低コスト化が重要な課題になっている。そこで我々は、チップコストの低減のために、HBTの応用を積極的に進めており、従来MESFETの1/5程のチップ面積で、950MHz帯のディジタル携帯電話(PDC)システムで使用可能なパワー特性を有するHBTを報告した。今回、さらにHBTのRF性能を改善させ、0.95と1.5GHz帯において高効率で、かつ低歪特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
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本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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高橋 秀樹
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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羽山 信幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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金 昌佑
NEC光エレクトロニクス研究所
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金 昌佑
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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羽山 信幸
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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高橋 秀樹
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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後藤 典夫
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
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本城 和彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所
-
後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
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