61%付加電力効率を有するディジタル携帯電話用高出力AlGaAs/GaAs HBT
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概要
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高電力密度, 単一正電源動作の特徴を有するHBTは携帯電話用パワーアンプの小型化, 低コスト化に寄与するものと期待されている。我々は既に従来MESFETの1/5程度のチップ面積で, ディジタル携帯電話(PDC)システムの規格を満たすパワーAlGaAs/GaAs HBTを報告してきた。今回, 熱抵抗, RF性能の観点から各種エミッタ寸法を有するパワーHBTを試作し, 良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
本城 和彦
日本電気株式会社
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
高橋 秀樹
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
羽山 信幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
金 昌佑
NEC光エレクトロニクス研究所
-
高橋 秀樹
NEC光エレクトロニクス研究所
-
後藤 典夫
NEC光エレクトロニクス研究所
-
本城 和彦
NEC光エレクトロニクス研究所
-
後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
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