4.マイクロ波ミリ波デバイス (<小特集>化合物半導体デバイスの最近の動向 : 光波・マイクロ波/ミリ波・超高速ディジタル技術を支えるデバイスの研究開発)
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概要
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化合物半導体をマイクロ波・ミリ波デバイスに導入するメリットを能動素子および受動素子の観点から述べる. 更にGaAsFET, HEMT, HBTを高性能化する場合のポイントについて簡単に述べると共に化合物デバイスとSiデバイスの競合が激しいLバンドにおける両者の凄み分けを概観する. 最後に実例として携帯電話用ダブルドープ構造高出力HJFET, GaAsFETアンテナスイッチMMIC, 高出力HBT, 誘電体共振器付加ミリ波MMIC発振器を説明する.
- 1997-07-25
著者
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