本城 和彦 | 日本電気株式会社

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概要

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• 日本電気株式会社の論文著者

関連著者

• 本城 和彦

  日本電気株式会社

• 本城 和彦

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 鈴木 康之

  日本電気株式会社

• 本城 和彦

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 鈴木 康之

  Nec 光・無線デバイス研究所

• 鈴木 康之

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 松野 典朗

  Necシステムデバイス研究所

• 鈴木 康之

  Nec光・無線デバイス研究所

• 矢野 仁之

  NEC光・無線デバイス研究所

• 安岡 芳久

  東海大学電子情報学部

• 矢野 仁之

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 中田 裕之

  東海大学 工学部 通信工学科

• 松野 典朗

  NEC光・無線デバイス研究所

• 大久保 直樹

  東海大学工学部通信工学科

• 早田 和樹

  東海大学 工学部 通信工学科

• 田中 慎一

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 田中 慎二

  日本電気株式会社

• 清田 春信

  京都大学生存圏研究所

• 川崎 繁男

  宇宙航空研究開発機構宇宙科学研究本部

• 嶋脇 秀徳

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 嶋脇 秀徳

  Nec化合物デバイス事業部

• 天宮 泰

  日本電気株式会社

• 田中 愼一

  芝浦工業大学工学部

• 本城 和彦

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 天宮 泰

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 天宮 泰

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC化合物デバイス事業部

• 安岡 芳久

  東海大学工学部通信工学科

• 安岡 芳久

  東海大学 工学部 通信工学科

• 大久保 直樹

  東海大学 工学部 通信工学科

• 清田 春信

  東海大学 工学部 通信工学科

• 椿 茂樹

  NEC化合物デバイス事業部

• 戸田 鉄

  NEC化合物デバイス事業部

• 田中 愼一

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 丹羽 隆樹

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 間々田 正行

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 天宮 泰

  Nec光・無線デバイス研究所

• 川崎 繁男

  東海大学通信工学科

• 川崎 繁男

  東海大学 工学部 通信工学科

• 細谷 健一

  日本電気株式会社

• 松野 典朗

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 矢野 仁之

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 鈴木 康之

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 細谷 健一

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 後藤 典夫

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 細谷 健一

  Nec システムプラットフォーム研

• 村上 誠一

  Nec宇宙開発事業部

• 高橋 秀樹

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 金 昌佑

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 高橋 秀樹

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 後藤 典夫

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 本城 和彦

  NEC マイクロエレクトロニクス研究所

• 矢野 仁之

  日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 松野 典朗

  日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 川崎 繁男

  東海大学

• 川崎 繁男

  東海大学電子情報学部電気電子工学科

• 清田 春信

  東海大学工学部通信工学科

• 嶋脇 秀徳

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 川崎 繁男

  東海大学工学部通信工学科

• 天宮 泰

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 山崎 仁

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山之内 慎吾

  日本電気(株)

• 田中 愼一

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 村上 誠一

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 間々田 正行

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 嶋脇 秀徳

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 後藤 典夫

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 本城 和彦

  NEC 光エレクトロニクス研究所

• 本城 和彦

  日本電気(株)光・高周波デバイス研究所

• 山崎 仁

  NECデバイスプラットフォーム研究所

• 川崎 繁男

  宇宙航空研究開発機構

• 川崎 繁男

  京大

• 安岡 芳久

  東海大学通信工学科

• 早田 和樹

  東海大学通信工学科

• 中田 裕之

  東海大学通信工学科

• 大久保 直樹

  東海大学通信工学科

• 金近 正之

  スタンレー電気株式会社

• 平田 圭一

  スタンレー電気株式会社

• 早田 和樹

  東海大学工学部通信工学科

• 中田 裕之

  東海大学工学部通信工学科

• 鈴木 康之

  東海大学 工学部 通信工学科

• 川崎 繁男

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 平山 知央

  NEC光・無線デバイス研究所

• 渡辺 寿郎

  NEC化合物デバイス事業部

• 山之内 慎吾

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 川{サキ} 繁男

  東海大学工学部通信工学科

• 加藤 洋丈

  東海大学工学部通信工学科

• 平田 圭一

  スタンレー電気株式会社研究開発センター

• 山之内 慎吾

  Necデバイスプラットフォーム研究所

• 矢野 仁之

  日本電気株式会社

• 山之内 慎吾

  日本電気株式会社グリーンプラットフォーム研究所

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著作論文

• 61%付加電力効率を有するディジタル携帯電話用高出力AlGaAs/GaAs HBT
• 35GHz帯1W高出力HBT増幅器
• C-2-29 強結合法を用いた23GHz帯アクティブ集積アンテナアレイの試作
• CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
• CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
• CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
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• 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
• 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
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• 携帯電話用Si Power MOSFETの歪み特性
• Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
• 隣接チャネル漏洩電力の解析
• Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
• HBTを用いたKa帯MMIC高出力増幅器
• (λ/4±δ)長先端開放スタブ共振器を用いた低位相雑音38GHz HBT MMIC発振器
• 部分整合回路付きHBTチップを用いたKa帯高出力増幅器
• MMIC発振器を用いたセラミック基板上のアクティブ集積アンテナアレイ
• MMIC発振器を用いた小型アクティブ集積アンテナアレイ
• 4.マイクロ波ミリ波デバイス (化合物半導体デバイスの最近の動向 : 光波・マイクロ波/ミリ波・超高速ディジタル技術を支えるデバイスの研究開発)
• 0.5μmゲートHJFETを用いた2.4GHz帯PLLIC
• マイクロ波トランジスタ, (社)電子情報通信学会(編), 高山洋一郎(著), "マイクロ波トランジスタ", (社)電子情報通信学会(1998-12), A5判, 定価(本体3,800円+税)
• 4-2 マイクロ波化合物半導体デバイスの研究開発
• 4-2 マイクロ波化合物半導体デバイスの研究開発
• ミリ波デバイス技術

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