矢野 仁之 | 日本電気株式会社
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概要
関連著者
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矢野 仁之
日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所
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矢野 仁之
日本電気株式会社
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鈴木 康之
日本電気株式会社
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松野 典朗
日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所
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矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
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松野 典朗
Necシステムデバイス研究所
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矢野 仁之
Nec光・超高周波デバイス研究所
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古川 昭雄
日本電気株式会社ネットワーキング研究所
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中原 寧
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
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古川 昭雄
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
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中原 寧
先端デバイス開発本部
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中原 寧
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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中原 寧
NEC Electronics Corporation
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中原 寧
Necエレクトロニクス、先端デバイス開発事業部
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中原 寧
Necエレクトロニクス
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工藤 耕治
NECシステムデバイス研究所
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田辺 昭
NECシリコンシステム研究所
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田辺 昭
日本電気株式会社シリコンシステム研究所
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鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
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矢野 仁之
NECデバイスプラットフォーム研究所
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工藤 耕治
日本電気株式会社
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本城 和彦
日本電気株式会社
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本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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佐久間 寿人
Necナノエレクトロニクス研究所
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荻本 和彦
東京大学 生産技術研究所 エネルギー工学連携研究センター
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平山 知央
日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所
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井口 浩人
日本電気株式会社サービスプラットフォーム研究所
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池上 貴志
東京大学 生産技術研究所 エネルギー工学連携研究センター
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平山 知央
NEC光・無線デバイス研究所
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池上 貴志
東京大学
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荻本 和彦
東京大学
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片岡 和人
東京大学
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片岡 和人
東京大学生産技術研究所
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佐久間 寿人
日本電気株式会社
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井口 浩人
日本電気株式会社
著作論文
- C-2-30 Ku帯オンチップマッチSi MOSFET MMIC
- 微細MOSFETを用いたSPSTスイッチ
- シリコン上のスパイラルインダクタのモデリング
- 0.5μmゲートHJFETを用いた2.4GHz帯PLLIC
- B-9-12 分散するEV用リチウムイオンバッテリーの仮想集積技術 : 電力システム連携に向けた多数台EV充電電力の可制御化(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
- B-9-11 分散する定置用リチウムイオンバッテリーの仮想集積技術 : 電力システム連携に向けた多数LIBの劣化抑制充放電制御(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)