本城 和彦 | NEC光エレクトロニクス研究所

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 本城 和彦

  NECマイクロエレクトロニクス研究所

• 本城 和彦

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 本城 和彦

  日本電気株式会社

• 鈴木 康之

  日本電気株式会社

• 矢野 仁之

  NEC光・無線デバイス研究所

• 松野 典朗

  Necシステムデバイス研究所

• 松野 典朗

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 矢野 仁之

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 鈴木 康之

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 矢野 仁之

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 高橋 秀樹

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 羽山 信幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 金 昌佑

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 高橋 秀樹

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 後藤 典夫

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 井上 壽明

  Nec化合物デバイス事業部

• 戸田 鉄

  NEC化合物デバイス事業部

• 後藤 典夫

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 小瀬 泰

  NEC化合物デバイス事業部

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著作論文

• 61%付加電力効率を有するディジタル携帯電話用高出力AlGaAs/GaAs HBT
• 隣接チャネル漏洩電力の解析
• Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
• 900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション

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