900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
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概要
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0.6-μm WSiゲートSi MOSfetを用いた、900MHz帯GSM用の500mW出力MMICドライバアンプを設計・試作した。本MMICは低コストの汎用LSIプロセスで作製されており、スパイラルインダクタとMOS容量とからなる入力整合回路がSi基板上に集積されている。これらのパッシブ素子はSi基板の損失の影響を考慮してモデル化され、ハーモニックバランスシミュレーションを用いて回路設計を行った。MOSFETのゲート幅とゲートフィンガ長については、整合損失の観点から検討を行い、大信号シミュレーションによる最適設計を行った。試作したアンプは電源電圧4.8Vにおいて、線形利得16.2dB、出力電力27.1dBm、付加電力効率62%という優れた特性を示した。また実測特性は設計時の予測特性と高い精度で一致した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-21
著者
-
本城 和彦
日本電気株式会社
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
-
鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
-
矢野 仁之
NEC光・無線デバイス研究所
-
松野 典朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
鈴木 康之
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
本城 和彦
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
松野 典朗
Necシステムデバイス研究所
-
椿 茂樹
NEC化合物デバイス事業部
-
戸田 鉄
NEC化合物デバイス事業部
-
鈴木 康之
Nec光・無線デバイス研究所
-
矢野 仁之
Nec光・超高周波デバイス研究所
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