35GHz帯1W高出力HBT増幅器
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概要
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高速無線アクセス系、衛星移動体通信等のシステムに向けた(準)ミリ波帯高出力素子の研究開発が各所で進められている。我々は26GHz帯において出力28.7dBm(0.74W)、付加電力効率42%というHBTの基本セル性能を報告してきた。今回、35GHz帯 HBT の電力分配・合成回路の検討を行い、2セル合成という簡単な増幅器構成ながら飽和出力30.0dBm(1.0W)、付加電力効率19.0%という良好な特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
本城 和彦
日本電気株式会社
-
本城 和彦
NECマイクロエレクトロニクス研究所
-
田中 慎一
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
村上 誠一
Nec宇宙開発事業部
-
田中 慎二
日本電気株式会社
-
嶋脇 秀徳
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
嶋脇 秀徳
Nec化合物デバイス事業部
-
天宮 泰
NEC 光・無線デバイス研究所
-
田中 愼一
NEC 光エレクトロニクス研究所
-
村上 誠一
NEC 光エレクトロニクス研究所
-
間々田 正行
NEC 光エレクトロニクス研究所
-
嶋脇 秀徳
NEC 光エレクトロニクス研究所
-
後藤 典夫
NEC 光エレクトロニクス研究所
-
本城 和彦
NEC 光エレクトロニクス研究所
-
天宮 泰
日本電気株式会社
-
間々田 正行
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
後藤 典夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
田中 愼一
芝浦工業大学工学部
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