C-4-16 導波路型アバランシェ・フォトダイオードを用いた高感度 40Gb/s-APD 光受信器
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-20
著者
-
牧田 紀久夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
鈴木 康之
日本電気株式会社
-
竹内 剛
Nec光無線デバイス研究所
-
加藤 友章
NEC光・無線デバイス研究所
-
加藤 友章
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
-
中田 武志
NEC 光・無線デバイス研究所
-
竹内 剛
NEC 光・無線デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
NEC 光・無線デバイス研究所
-
天宮 泰
NEC 光・無線デバイス研究所
-
加藤 友章
NEC 光・無線デバイス研究所
-
鳥飼 俊敬
NEC 光・無線デバイス研究所
-
中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
竹内 剛
Nec光・無線デバイス研究所
-
牧田 紀久夫
Nec ナノエレクトロニクス研
-
鳥飼 俊敬
Necシステムデバイス研究所
-
天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
-
加藤 友章
日本電気(株)
関連論文
- 10G-EPONバースト光送信、受信技術 : G-EPONとの共存にむけて(次世代ネットワーク,電力線通信,無線通信方式,一般)
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[I] : 超低損失埋め込み構造InGaAsP/InP受動光導波路
- バンドギャップ制御選択MOVPE成長を用いた窓構造光変調器/DFBレーザ集積化光源
- C-3-5 ハイブリッド集積SOAG小型モジュールの光スイッチング特性
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- C-2-30 Ku帯オンチップマッチSi MOSFET MMIC
- 微細MOSFETを用いたSPSTスイッチ
- シリコン上のスパイラルインダクタのモデリング
- 対称マッハツェンダー型全光スイッチのフェムト秒動作とその光集積化
- ハイブリッド集積SOAモジュールにおけるSOA-PLC間の結合特性
- Conference on Optical Fiber Communication '98(OFC'98) : 参加報告
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- 1.5V低電圧60Gb/s D-F/F回路
- C-4-16 導波路型アバランシェ・フォトダイオードを用いた高感度 40Gb/s-APD 光受信器
- InAlAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- InAIAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 液体介在リフローによるハイブリッド集積 SOAG アレイモジュールの大気中光素子セルフアライン実装
- C-3-36 ドライバIC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール(2) : 実装技術
- C-3-35 ドライバIC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール(1) : 構造および特性
- ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
- ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
- ハイブリッド光集積モジュール : 光波ネットワークシステムのための光MCM技術
- 石英系光導波路ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
- SiGe-ICを用いた20 Gb/s光送受信器(長距離・大容量光通信技術論文小特集)
- Si-lCを用いた20Gb/s光送受信器
- 低消費電力(10mW)光アンプゲートモジュール
- アクセス系向け送受信半導体光集積素子の開発状況
- 1.3μm帯フォトダイオードを分波フィルターとする1.3/1.55μm双方向WDM通信用光集積素子の検討
- 選択MOVPEを用いた双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
- 低電圧駆動・高出力DFB-LD/変調器集積化光源
- 変調器集積化光源の低チャープ動作条件の検討(II)
- 立ち上がり遅延補償回路を用いたゲート型8×8マトリクススイッチの10Gbs/ch光セルスイッチング
- C-4-37 10Gb/s小型光受信モジュール用高感度プレーナ型APD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 2.4Gbit/s 1チツプ小型光受信器
- P+再成長外部ベースを有するHBTプリアンプ
- B-10-140 広入力ダイナミックレンジを有する 40-Gb/s 光受信器の開発
- 超高速光伝送用PIN-Amp.モジュール
- C-4-12 ゲートモードアバランシェフォトダイオード光子検出器のアフターパルスモデル(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- シャドウチューニングによる波長可変DBR-LDの安定な波長セル切替
- C-2-29 強結合法を用いた23GHz帯アクティブ集積アンテナアレイの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- CPW給電スロットアンテナとMMIC発振器を用いた20GHz帯アクティブ集積アンテナの試作
- Ku帯オンチップマッチシリコンMOSFET MMIC
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 900MHz帯高効率Si MOS MMICパワーアンプ
- 携帯電話用Si Power MOSFETの歪み特性
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- 隣接チャネル漏洩電力の解析
- Power MOSFETの相互変調歪み特性における電源回路の影響
- 固定波長への波長変換器を用いた光クロスコネクト・システム
- 光クロスコネクト実験システム試作と障害回復時間の評価
- DCドリフトフリー・偏光無依存Ti:LiNbO_3マトリクス光スィッチ
- C-4-1 1.31μm/1.55μm 対応 40Gb/s 耐高光入力装荷型受光素子
- 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
- 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
- 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
- C-4-31 導波路型構造を用いた10Gbps低電圧動作高感度アバランシェ・フォトダイオード
- 1.55μm帯アクセス系レシーバ用導波路型受光素子
- C-3-85 40Gb/s光受信器用高効率導波路型受光素子
- ドライバ回路内蔵ハイブリッド集積8チャンネルSOAGアレイレセプタクルモジュールの小型/低消費電力化
- C-3-56 アレイ駆動対応CMOS-IC/TEC内蔵ハイブリッド集積8ch SOAGアレイレセプタクルモジュール
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTを用いた低消費電力40GHz分周器
- p^+外部ベース再成長AlGaAs/InGaAs HBTを用いた50GHzダイナミック分周器
- AlGaAs/InGaAs微細HBTの高速化と40GHz分周器への応用
- BCS-2-4 半導体受光素子の最新動向(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- MMIC発振器を用いたセラミック基板上のアクティブ集積アンテナアレイ
- BCS-2-4 半導体受光素子の最新動向(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- 高速アクセスネットワーク対応アバランシェホトダイオードの開発(フォトニックネットワーク/制御,光制御(波長変換・スイッチング等),光波/量子通信,GMPLS,アクセス網技術,一般)
- C-4-24 非対称デルタドープ超格子構造を有する高起電圧光電池(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-23 光インターコネクション用マルチモードファイバ対応PIN-PD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 高信頼メサ型InAlAsアバランシェフォトダイオード(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,一般)
- C-4-16 高信頼メサ型InAlAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-113 MEMSを用いたサージ光抑制器の開発(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-36 非対称ガイド層構造を用いた高感度10Gb/s導波路型アバランシェ・フォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-140 レセプタクル構造 40Gb/s 超小型受光フロントエンドモジュール
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
- アクセス、及び幹線系光受信器用導波路型受光素子
- GaAs HBT-ICモジュールを用いた40Gb/s RZ光パルス受信実験
- MMIC発振器を用いた小型アクティブ集積アンテナアレイ
- 900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
- 900MHz帯Power MOSFETの大信号シミュレーション
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
- 高出力Siバイポーラトランジスタにおける歪解析
- 0.5μmゲートHJFETを用いた2.4GHz帯PLLIC
- 40Gb/s光伝送用HBTプリアンプ
- 高速アクセスネットワーク対応アバランシェホトダイオードの開発