BCS-2-4 半導体受光素子の最新動向(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2008-09-02

著者

• 芝 和宏

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 水木 恵美子

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 牧田 紀久夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 芝 和宏

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 芝 和宏

  NEC光デバイス事業部

• 中田 武志

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 芝和 宏

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 牧田 紀久夫

  Nec ナノエレクトロニクス研

関連論文

• 10G-EPONバースト光送信、受信技術 : G-EPONとの共存にむけて(次世代ネットワーク,電力線通信,無線通信方式,一般)
• 高速EA変調器を用いた40Gb/s-NRZ伝送特性の解析
• C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
• 大容量光アクセスネットワーク用高歩留まり部分回折格子レーザ
• 単一軸モード歩留まりの高いアクセスネットワーク用部分回折格子レーザ
• PC-LDの反射戻り光耐性の回折格子長依存性
• C-4-1 1.1μm帯VCSEL・レシーバによる30Gb/s-100m MMF(GI32)伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-3-75 低コストプラスチックモールド送信/受信モジュールのSGbps動作(アクティブモジュール・AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• C-10-7 DPSK/DQPSK光受信用差動トランスインピーダンス増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-4-16 導波路型アバランシェ・フォトダイオードを用いた高感度 40Gb/s-APD 光受信器
• InAlAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• InAIAs-APD過剰雑音の高精度測定(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
• 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
• 部分回折格子LDを用いた表面実装型LDモジュールの雑音特性
• C-4-37 10Gb/s小型光受信モジュール用高感度プレーナ型APD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-4-12 ゲートモードアバランシェフォトダイオード光子検出器のアフターパルスモデル(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-1 1.31μm/1.55μm 対応 40Gb/s 耐高光入力装荷型受光素子
• 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
• 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
• 導波路型構造を用いた低電圧・高速アバランシェ・フォトダイオード
• C-4-31 導波路型構造を用いた10Gbps低電圧動作高感度アバランシェ・フォトダイオード
• 1.55μm帯アクセス系レシーバ用導波路型受光素子
• C-3-85 40Gb/s光受信器用高効率導波路型受光素子
• BCS-2-4 半導体受光素子の最新動向(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
• BCS-2-4 半導体受光素子の最新動向(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
• 高速アクセスネットワーク対応アバランシェホトダイオードの開発(フォトニックネットワーク/制御,光制御(波長変換・スイッチング等),光波/量子通信,GMPLS,アクセス網技術,一般)
• C-4-24 非対称デルタドープ超格子構造を有する高起電圧光電池(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-23 光インターコネクション用マルチモードファイバ対応PIN-PD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• 高信頼メサ型InAlAsアバランシェフォトダイオード(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,一般)
• C-4-16 高信頼メサ型InAlAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-3-113 MEMSを用いたサージ光抑制器の開発(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• C-4-36 非対称ガイド層構造を用いた高感度10Gb/s導波路型アバランシェ・フォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-3-140 レセプタクル構造 40Gb/s 超小型受光フロントエンドモジュール
• InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
• InAlGaAs/InAlAs超格子APD高速限界の検討
• アクセス、及び幹線系光受信器用導波路型受光素子
• プレーナ型超格子APD
• ガスーソースMBE法による超格子APD高性能化の検討
• 計測用(波長1.5μm)レンズ集積大口径InAlGaAs/InAlAs超格子
• 10 Gb/s光通信用高量子効率・低暗電流プレーナ型超格子APD
• チャープ回折格子を有するスポットサイズ変換型PC-LD
• 部分回折格子レーザの-40℃〜85℃耐反射622 Mbit/s変調特性
• 高速アクセスネットワーク対応アバランシェホトダイオードの開発

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク