芝 和宏 | NEC光デバイス事業部
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概要
関連著者
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芝 和宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NEC光デバイス事業部
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芝和 宏
Necナノエレクトロニクス研究所
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牧田 紀久夫
NECナノエレクトロニクス研究所
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牧田 紀久夫
Nec ナノエレクトロニクス研
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中田 武志
NECナノエレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NECシステムデバイス研究所
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水木 恵美子
NECナノエレクトロニクス研究所
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奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
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奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
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牧田 紀久夫
NECシステムデバイス研究所
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深津 公良
NECシステムデバイス研究所
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深津 公良
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
中田 武志
NECシステムデバイス研究所
-
鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC関西エレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NEC関西エレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NECナノエレクトロニクス研究所
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黄 翊東
NEC関西エレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NEC関西エレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
NEC関西エレクトロニクス研究所
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笠原 健一
立命館大学
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清水 省吾
立命館大学理工学部
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笠原 健一
立命館大学大学院理工学研究科
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清水 省吾
立命館大学大学院理工学研究科
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渡邉 さわき
Necナノエレクトロニクス研究所
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屋敷 健一郎
NECシステムデバイス研究所
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畠山 大
NECシステムデバイス研究所
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鈴木 尚文
NECシステムデバイス研究所
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阿南 隆由
NECシステムデバイス研究所
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辻 正芳
NECシステムデバイス研究所
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竹内 剛
Nec光無線デバイス研究所
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阿南 隆由
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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鈴木 康之
NECシステムデバイス研究所
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鈴木 康之
旭川医科大学 眼科学講座
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加藤 友章
NEC光・無線デバイス研究所
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加藤 友章
Nec光・超高周波デバイス研究所
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鈴木 康之
Necシステムプラットフォーム研究所
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牧田 紀久夫
NEC光・無線研究所
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竹内 剛
Nec光・無線デバイス研究所
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芝 和宏
NEC光・無線デバイス研究所
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深津 公良
NEC光・無線デバイス研究所
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辻 正芳
グリーンイノベーション研究所
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水木 恵美子
R&Dサポートセンター
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鳥飼 俊敬
Necシステムデバイス研究所
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加藤 友章
日本電気(株)
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屋敷 健一郎
Necシステムipコア研究所
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鈴木 康之
日本電気株式会社
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小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
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深津 公良
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
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小林 隆二
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
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芝 和宏
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
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難波江 宏一
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
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森 一男
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
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石坂 政茂
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
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佐々木 達也
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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黄 翊東
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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蔵田 和彦
日本電気(株)伝送デバイス事業部
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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佐々木 達也
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
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難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
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蔵田 和彦
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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天宮 泰
NEC光・超高周波デバイス研究所
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大網 敏正
NEC通信システム
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藤田 定男
NECシステムプラットフォーム研究所
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ドゥ・ガボリ エマニュエル
NECシステムプラットフォーム研究所
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野田 有秀
NECシステムプラットフォーム研究所
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筑間 直行
NEC光デバイス事業部
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鈴木 康之
Nec 光・無線デバイス研究所
-
天宮 泰
NEC 光・無線デバイス研究所
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石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
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次田 拓実
NEC システムデバイス研究所
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奥田 哲朗
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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河井 元良
日本電気(株)伝送デバイス事業部
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芝 和宏
日本電気(株)関西エレクトロニクス研究所
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岡本 拓磨
日本電気(株)伝送デバイス事業部
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山内 賢治
日本電気(株)伝送デバイス事業部
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大網 敏正
日本電気テレコムシステム株式会社
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鈴木 康之
NEC光・超高周波デバイス研究所
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石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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中田 武志
NEC光・無線デバイス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC光・無線デバイス研究所
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中田 武志
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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牧田 紀久夫
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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鳥飼 俊敬
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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山内 賢治
NEC
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石坂 政茂
NECシステムプラットフォーム研究所
-
次田 拓実
R&Dサポートセンター
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角野 雅芳
NECシステムデバイス研究所
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芝 和宏
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
奥田 哲朗
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
黄 朔東
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
-
山田 博仁
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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渡辺 さわき
NECナノエレクトロニクス研究所
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渡邉 さわき
NEC システムデバイス研究所
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芝 和宏
NEC システムデバイス研究所
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水木 恵美子
NEC システムデバイス研究所
-
渡辺 さわき
NECシステムデバイス研究所
-
水木 恵美子
NECシステムデバイス研究所
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鈴木 康之
Nec光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
-
鳥飼 俊敬
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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天宮 泰
Nec光・無線デバイス研究所
-
石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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岡本 拓磨
東北大
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蔵田 和彦
日本電気(株)グリーンイノベーション研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
著作論文
- 高速EA変調器を用いた40Gb/s-NRZ伝送特性の解析
- C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
- 大容量光アクセスネットワーク用高歩留まり部分回折格子レーザ
- 単一軸モード歩留まりの高いアクセスネットワーク用部分回折格子レーザ
- PC-LDの反射戻り光耐性の回折格子長依存性
- C-4-1 1.1μm帯VCSEL・レシーバによる30Gb/s-100m MMF(GI32)伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-75 低コストプラスチックモールド送信/受信モジュールのSGbps動作(アクティブモジュール・AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-10-7 DPSK/DQPSK光受信用差動トランスインピーダンス増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 40Gbps通信用導波路型アバランシェフォトダイオード(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 部分回折格子LDを用いた表面実装型LDモジュールの雑音特性
- C-4-1 1.31μm/1.55μm 対応 40Gb/s 耐高光入力装荷型受光素子
- BCS-2-4 半導体受光素子の最新動向(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- BCS-2-4 半導体受光素子の最新動向(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- 高速アクセスネットワーク対応アバランシェホトダイオードの開発(フォトニックネットワーク/制御,光制御(波長変換・スイッチング等),光波/量子通信,GMPLS,アクセス網技術,一般)
- C-4-24 非対称デルタドープ超格子構造を有する高起電圧光電池(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-23 光インターコネクション用マルチモードファイバ対応PIN-PD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 高信頼メサ型InAlAsアバランシェフォトダイオード(光アクセスに向けた光ファイバ,光デバイス・モジュール,一般)
- C-4-16 高信頼メサ型InAlAsアバランシェフォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-36 非対称ガイド層構造を用いた高感度10Gb/s導波路型アバランシェ・フォトダイオード(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-3-140 レセプタクル構造 40Gb/s 超小型受光フロントエンドモジュール
- チャープ回折格子を有するスポットサイズ変換型PC-LD
- 部分回折格子レーザの-40℃〜85℃耐反射622 Mbit/s変調特性