山田 博仁 | NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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山田 博仁
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
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山田 博仁
NEC関西エレクトロニクス研究所
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NEC化合物デバイス(株)
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宇治 俊男
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NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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奥田 哲朗
NEC関西エレクトロニクス研究所
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宇治 俊男
NEC関西エレ研
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室谷 義治
NEC関西エレクトロニクス研究所
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山田 博仁
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
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室谷 義治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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鳥飼 俊敬
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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奥田 哲朗
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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向原 一誠
NEC化合物デバイス株式会社
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向原 一誠
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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NEC ULSIデバイス開発研究所
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NEC関西エレクトロニクス研究所
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佐々木 純一
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
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江村 克己
Nec C&cメディア研究所
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江村 克己
Nec光エレクトロニクス研究所
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渋谷 真
NEC光エレクトロニクス研究所
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Necナノエレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
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NEC 関西エレクトロニクス研究所
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田島 章雄
NEC光エレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NEC光デバイス事業部
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Nec(株)第二伝送(事)
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佐々木 純一
NEC 光エレクトロニクス研究所
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佐藤 健二
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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鈴木 尚文
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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中村 隆宏
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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中村 隆宏
NEC関西エレクトロニクス研究所
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寺門 知二
NEC関西エレクトロニクス研究所
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芝和 宏
Necナノエレクトロニクス研究所
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芝 和宏
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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奥田 哲朗
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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黄 朔東
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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千賀 賢一
NEC(株)関西エレクトニクス研究所
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楓 和久
NEC(株)光エレクトロニクス研究所
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宇治 俊男
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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中村 隆弘
NEC関西エレクトロニクス研究所
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富田 恵作
NEC化合物デバイス事業部
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伊藤 潔
NEC化合物デバイス事業部
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福島 淳
NEC関西エレクトロニクス研究所
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伊藤 正隆
NEC機能エレクトロニクス研究所
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伊藤 潔
Nec
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福島 淳
日本電気(株) 関西エレクトロニクス研究所
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伊藤 潔
Nec化合物デバイス
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伊藤 正隆
Nec
著作論文
- アレイPC-LD を用いたマルチLD方式による低雑音サブキャリア多重光伝送の検討
- AuSnバンプ実装を用いたWDM用アレイLDモジュール
- DFBレーザアレイの発振波長精密制御
- 部分回折格子レーザの-40℃〜85℃耐反射622 Mbit/s変調特性
- 光加入者系耐環境無調整MQWレーザ
- 安定な変調歪位相特性を有する部分回折格子レーザ
- 半導体レーザの変調2次歪の発生機構
- SCM伝送用広帯域・低歪MQW-DFBレーザ
- EB露光回折格子のスティッチングエラー評価
- 重み付けEB露光法によるDFBレーザの発振波長精密制御
- 有機V族を用いた高均一長波長半導体レーザ
- 重み付けEB露光「WAVE」によるDFB-LDの回折格子周期精密制御
- 大容量CATV用部分回折格子レーザ
- 光加入者系無調整レーザとターシャリブチルMOVPEフルウェハ技術
- 広帯域CATV用低歪PC-LDアレイ
- 1.3μm短共振器歪MQWレーザの無バイアス変調動作