AuSnバンプ実装を用いたWDM用アレイLDモジュール
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
近年、光波ネットワーク等波長多重伝送(WDM)方式の本格的普及・実現に向けて低価格の多波長LD光源の実現が望まれている。低コスト化実現の方法の1つとして、Siプラットホーム上に光ファイバーやLDアレイ等のデバイスをパッシブアライメント方式で実装する方法が挙げられる。今回はんだバンプを用いてSiプラットホーム上に多波長DFB-LDアレイを実装したWDM用アレイLDモジュールを作製した。また多チャネル同時駆動時の熱による波長変化について評価した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
-
佐々木 純一
日本電気株式会社システムプラットフォーム研究所
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
室谷 義治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐々木 純一
NEC 光エレクトロニクス研究所
-
山田 博仁
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
鳥飼 俊敬
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
山田 博仁
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
関連論文
- 装置内ブックシェルフ型光実装技術の検討
- C-4-1 広温度・低電流動作10-Gb/s AlGaInAs BH構造DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-30 広温度動作10Gb/s直接変調DFB-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
- C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- C-4-10 10Gb/s 直接変調用 1.3μm 帯 AlGaInAs BH DFB-LD
- C-3-71 プラスチックモールド送信モジュールの6Gb/s広温度動作(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- C-4-8 部分回折格子レーザの-40℃〜+80℃耐反射2.5Gb/s伝送特性
- 大容量光アクセスネットワーク用高歩留まり部分回折格子レーザ
- 単一軸モード歩留まりの高いアクセスネットワーク用部分回折格子レーザ
- PC-LDの反射戻り光耐性の回折格子長依存性
- B-10-161 並列光インタコネクション用622Mbit/s×12ch送受信モジュール(4) : パッシブアライメント実装技術の開発
- BCS-2-9 超高速直接変調VCSEL(BCS-2.次世代光ファイバ通信を拓く超高速送受信デバイス技術の最新動向,シンポジウムセッション)
- CK-1-9 VCSELと光インターコネクション(CK-1.応用の幅を広げるレーザ技術,特別企画,ソサイエティ企画)
- C-4-1 1.1μm帯VCSEL・レシーバによる30Gb/s-100m MMF(GI32)伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-29 Type-IIトンネル接合を用いた1.1μm帯低抵抗VCSEL(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-75 低コストプラスチックモールド送信/受信モジュールのSGbps動作(アクティブモジュール・AWG,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-14 高速インターコネクション向け1.1μm帯VCSELの25Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 光インターコネクション用1.1μm帯InGaAs VCSEL(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- C-4-11 850nm帯VCSELによる17Gbps変調動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
- 細径光ファイバを用いた高密度光バックプレーンの開発
- 高速情報通信装置用光バックプレーンの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 高密度光配線バックプレーン(光部品の実装・信頼性, 一般)
- C-3-34 高密度光配線バックプレーン(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- B-6-82 Generation Free Platformハードウエアアーキテクチャ(B-6.ネットワークシステム, 通信2)
- C-4-11 10Gb/s 用 LDD 内蔵表面実装型直接変調 DFB レーザモジュール
- CS-4-4 光I/O内蔵システムLSIモジュール(CS-4.光インターコネクション技術の最新動向,シンポジウム)
- SC-14-1 光インタコネクション技術の動向と展望(SC-14.光デバイス実装技術の展望)
- C-3-52 光I/O内蔵システムLSIモジュール(光モジュール)(C-3.光エレクトロニクス)
- C-3-127 光 I/O 内蔵システム LSI モジュール : (5) 基板実装型コネクタの開発
- C-3-126 光 I/O 内蔵システム LSI モジュール : (4) 光素子実装
- C-3-125 光 I/O 内蔵システム LSI モジュール : (3) 光結合系の設計
- C-3-124 光 I/O 内蔵システム LSI モジュール : (2) 低コスト、超小型 10Gbps 4ch 光 I/O (PETIT)
- C-3-123 光 I/O 内蔵システム LSI モジュール : (1) モジュール構成と設計指針
- CS-4-7 高速・大容量データ通信用VCSEL(CS-4. 応用分野が広がる面発光レーザ(VCSEL)技術の最新動向, エレクトロニクス1)
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
- C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- C-4-15 AR/HR型非対称λ/4位相シフト回折格子を有するEA変調器集積DFB-LD
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- SC-14-2 超高密度電子SIプロジェクトにおける光電気複合実装技術開発(SC-14.光デバイス実装技術の展望)
- 2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- SC-3-6 WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの波長分布制御
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- OIP(Optical-interconnection as an IP macro)による3.125Gb/s16×16クロスポイントスイッチ
- OIP(Optical-interconnection as an IP macro)による3.125Gb/s 16×16クロスポイントスイッチ
- C-3-41 ブックシェルフ型装置内光インタコネクション実装技術の検討
- ブックシェルフ型装置内光インタコネクション実装構造の検討
- ブックシェルフ型装置内光インタコネクション実装構造の検討
- ブックシェルフ型装置内光インタコネクション実装構造の検討
- ブックシェルフ型装置内光インタコネクション実装構造の検討
- 高速情報通信装置用光バックプレーンの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 高速情報通信装置用光バックプレーンの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 高速情報通信装置用光バックプレーンの開発(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 高密度光配線バックプレーン(光部品の実装・信頼性, 一般)
- 高密度光配線バックプレーン(光部品の実装・信頼性, 一般)
- C-3-128 VCSEL/PD を用いた OE-MCM 光入出力構造の検討
- C-3-137 有機基板 OE-MCM 上への光・電気素子フリップチップ実装の検討
- 水平テーパアクティブストライプ型スポットサイズ拡大高効率1.3μm MQWレーザ
- AuSnバンプ実装を用いたWDM用アレイLDモジュール
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
- 1.3μm帯歪MQWレーザの高温高効率特性
- DFBレーザアレイの発振波長精密制御
- TBA,TBPを用いた高均一高制御MQWのMOVPE成長
- チャープ回折格子を有するスポットサイズ変換型PC-LD
- 部分回折格子レーザの-40℃〜85℃耐反射622 Mbit/s変調特性
- 光加入者系耐環境無調整MQWレーザ
- 安定な変調歪位相特性を有する部分回折格子レーザ
- 半導体レーザの変調2次歪の発生機構
- SCM伝送用広帯域・低歪MQW-DFBレーザ
- EB露光回折格子のスティッチングエラー評価
- 重み付けEB露光法によるDFBレーザの発振波長精密制御
- 有機V族を用いた高均一長波長半導体レーザ
- 重み付けEB露光「WAVE」によるDFB-LDの回折格子周期精密制御
- 大容量CATV用部分回折格子レーザ
- 光加入者系無調整レーザとターシャリブチルMOVPEフルウェハ技術
- 広帯域CATV用低歪PC-LDアレイ
- 1.3μm短共振器歪MQWレーザの無バイアス変調動作
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- 高効率な非対称回折格子周期変調位相シフトDFBレーザ
- 重み付けEB露光によるDFBレーザ回折格子の位相精密制御
- モード干渉を用いたスポットサイズ変換レーザ
- ストライプ状AuSnバンプを用いたLDアレイモジュールのセルフアライメント実装
- AuSnバンプ・セルフアライメントによる光モジュールの無調整実装
- AuSnバンプ・セルフアライメントによる光モジュールの無調整実装
- ストライプ状AuSnバンプを用いたLDモジュールのセルフアライメント実装
- ストライプ状AuSnバンプによる光素子の三次元高精度セルフアライメント実装