C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-08
著者
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
石川 信
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
-
大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
-
大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
室谷 義治
NEC化合物デバイス(株)
-
奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
石川 信
NEC化合物デバイス(株)
-
中村 隆宏
NECシステムデバイス研究所
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
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