C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
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佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
小林 健一
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
-
小林 健一
Nec光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
佐藤 健二
NECシステムデバイス研究所
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
小林 健一
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
小林 健一
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
-
黄 〓東
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
-
佐藤 健二
Necシステムipコア研究所
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