佐藤 健二 | Necシステムipコア研究所
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概要
関連著者
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佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
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佐藤 健二
Necシステムipコア研究所
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佐藤 健二
NECシステムデバイス研究所
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工藤 耕治
NECシステムデバイス研究所
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工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
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須藤 信也
NECシステムデバイス研究所
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須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
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水谷 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
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加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
-
水谷 健二
NECシステムデバイス研究所
-
加藤 友章
Necシステムipコア研究所
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山崎 裕幸
NECナノエレクトロニクス研究所
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出来 裕香里
NECシステムプラットフオーム研究所
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高橋 森生
NECシステムプラットフオーム研究所
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山崎 裕幸
NECシステムプラットフオーム研究所
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高橋 森生
NECネットワーキング研究所
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竹内 剛
Necナノエレクトロニクス研究所
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竹内 剛
Necシステムプラットフォーム研究所
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鈴木 耕一
NEC ネットワーキング研究所
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高橋 森生
NEC光デバイス事業部
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山崎 裕幸
NEC光デバイス事業部
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高橋 森生
NECナノエレクトロニクス研究所
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鈴木 耕一
NEC光デバイス事業部
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山崎 裕幸
Necシステムプラットフォーム研究所
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ドゥ メルリール
NECシステムデバイス研究所
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出来 裕香理
Necナノエレクトロニクス研究所
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鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
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加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
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出来 裕香理
NECシステムプラットフォーム研究所
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
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小林 健一
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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小林 健一
Nec光・無線デバイス研究所
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室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
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千田 浩明
NECシステムデバイス研究所
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屋敷 健一郎
NECシステムデバイス研究所
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室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
奥田 哲朗
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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室谷 義治
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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小林 健一
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
小林 健一
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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山瀬 知行
日本電気株式会社
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千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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佐藤 峰斗
NECシステムIPコア研究所
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山瀬 知行
NECシステムIPコア研究所
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野口 栄実
NECシステムIPコア研究所
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屋敷 健一郎
Necシステムipコア研究所
-
黄 〓東
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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高江洲 績全
NEC R&Dサボートセンター
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堀江 美香
NEC R&Dサボートセンター
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難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
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黄 翊東
NECシステムデバイス研究所
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黄 翊東
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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佐藤 健二
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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室谷 義治
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
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難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
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鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
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岡本 健志
NECナノエレクトロニクス研究所
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佐藤 成哲
NEC化合物デバイス事業部
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高江洲 績全
R&dサポートセンター
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佐藤 成哲
Nec化合物デバイス株式会社
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ドゥ・メルリール ヤン
NECシステムデバイス研究所
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古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
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岡本 健志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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ニールセン マッス
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
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ニールセン マッス
NECシステムデバイス研究所
-
岡本 健志
NECシステムデバイス研究所
-
堀江 美香
R&dサポートセンター
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佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
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出来 裕香里
Necシステムプラットフォーム研究所
著作論文
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- C-4-14 液晶チューナブルミラーを用いた外部共振器型波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
- C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
- C-4-34 SOA変調器集積外部共振器型波長可変レーザの2.5Gbps-360kmフルバンド伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-3-89 導波路リング共振器と半導体光増幅器による波長可変レーザ(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-3-30 90-nm CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)