千田 浩明 | Necシステムデバイス・基礎研究本部

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概要

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関連著者

• 千田 浩明

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 深谷 一夫

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 宮崎 孝

  R&dサポートセンター

• 石川 信

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 千田 浩明

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 深谷 一夫

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 宮崎 孝

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 石川 信

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 千田 浩明

  NECシステムデバイス研究所

• 小林 隆二

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 小林 隆二

  Necシステムデバイス研究所

• 佐藤 健二

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 鶴岡 清貴

  NECシステムデバイス研究所

• 加藤 友章

  NECシステムデバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  NECシステムデバイス研究所

• 須藤 信也

  NECシステムデバイス研究所

• 佐藤 健二

  NECシステムデバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECシステムデバイス研究所

• 加藤 友章

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 須藤 信也

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 加藤 友章

  Necシステムipコア研究所

• 佐藤 健二

  Necシステムipコア研究所

• 屋敷 健一郎

  Necシステムipコア研究所

• 浜本 貴一

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 荒木田 孝博

  ソニー株式会社マテリアル研究所光エレクトロニクス研究部

• 宮崎 孝

  NECシステムプラットフオーム研究所

• 堀江 美香

  NECシステムプラットフオーム研究所

• 丹生 隆之

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 山崎 俊太郎

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 山崎 俊太郎

  NECインターネットシステム研究所

• 荒木田 孝博

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 鳥飼 俊敬

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 波若 雅彦

  光デバイス事業部

• 小野 美樹

  アルプス電気(株)

• 神田 征広

  日本電気(株)

• 波若 雅彦

  日本電気(株)

• 深谷 一夫

  日本電気(株)

• 千田 浩明

  日本電気(株)

• 京谷 昇一

  アルプス電気(株)

• 五十嵐 俊昭

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 河合 孝博

  NEC光エレクトロニスク研究所

• 堀江 美香

  R&dサポートセンター

• 山崎 俊太郎

  Nec共通基盤ソフトウェア研究所:慶應義塾大学先導研究センター

• 鳥飼 俊敬

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 神田 征広

  日本電気(株)伝送デバイス事業部

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著作論文

• 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• RIBE・クエン酸系選択エッチング併用プロセスを用いて作成したEDFA励起用980 nmレーザ
• 0.98μm LDの高効率結合系の検討
• C-4-35 端面非注入型リッジ埋め込み構造を有する980nmレーザの高出力特性
• 高速データリンク用0.98μm InGaAs/AlGaAsレーザの25-100℃ APCフリー 600Mb/s変調動作
• 100℃-2.5Gb/s高速変調動作の0.98-μm InGaAs/AlGaAsレーザ
• 0.98μm帯InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザの端面劣化寿命
• その場観察RIBEを用いて作製した0.98μm帯InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザの発振特性

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