荒木田 孝博 | ソニー株式会社マテリアル研究所光エレクトロニクス研究部
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概要
関連著者
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荒木田 孝博
ソニー株式会社マテリアル研究所光エレクトロニクス研究部
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成瀬 晃和
株式会社富士通研究所
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大久保 美和
ソニー株式会社マテリアル研究所光エレクトロニクス研究部
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中田 英彦
ソニー株式会社マテリアル研究所光エレクトロニクス研究部
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成瀬 晃和
ソニー株式会社マテリアル研究所光エレクトロニクス研究部
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江口 百子
ソニー株式会社マテリアル研究所光エレクトロニクス研究部
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成井 啓修
ソニー株式会社マテリアル研究所光エレクトロニクス研究部
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山田 和義
ソニー株式会社 マテリアル研究所 光エレクトロニクス研究部
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宮崎 孝
R&dサポートセンター
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石川 信
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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千田 浩明
NEC光エレクトロニクス研究所
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深谷 一夫
NEC光エレクトロニクス研究所
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荒木田 孝博
NEC光エレクトロニクス研究所
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宮崎 孝
NEC光エレクトロニクス研究所
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石川 信
NEC光エレクトロニクス研究所
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深谷 一夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
著作論文
- C-3-72 高分子光導波路モジュールの信頼性評価(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-73 VCSEL光出力制御機能を付加した光導波路モジュールの開発(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-95 プラガブル10Gbps×4ch光導波路モジュールの開発(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-94 全パッシブアライメント実装による10Gbps×4ch高分子導波路モジュールの開発(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- C-3-133 高分子導波路を用いた10Gbps一芯全二重光モジュールの開発(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- RIBE・クエン酸系選択エッチング併用プロセスを用いて作成したEDFA励起用980 nmレーザ