深谷 一夫 | NECシステムデバイス・基礎研究本部
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概要
関連著者
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深谷 一夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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石川 信
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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宮崎 孝
R&dサポートセンター
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千田 浩明
NEC光エレクトロニクス研究所
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深谷 一夫
NEC光エレクトロニクス研究所
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宮崎 孝
NEC光エレクトロニクス研究所
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石川 信
NEC光エレクトロニクス研究所
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深谷 一夫
日本電気(株)
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千田 浩明
NECシステムデバイス研究所
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浜本 貴一
NEC光エレクトロニクス研究所
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荒木田 孝博
ソニー株式会社マテリアル研究所光エレクトロニクス研究部
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宮崎 孝
NECシステムプラットフオーム研究所
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堀江 美香
NECシステムプラットフオーム研究所
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丹生 隆之
NEC光エレクトロニクス研究所
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山崎 俊太郎
NEC光エレクトロニクス研究所
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山崎 俊太郎
NECインターネットシステム研究所
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荒木田 孝博
NEC光エレクトロニクス研究所
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鳥飼 俊敬
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
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波若 雅彦
光デバイス事業部
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小野 美樹
アルプス電気(株)
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神田 征広
日本電気(株)
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波若 雅彦
日本電気(株)
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千田 浩明
日本電気(株)
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京谷 昇一
アルプス電気(株)
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五十嵐 俊昭
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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河合 孝博
NEC光エレクトロニスク研究所
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水戸 郁夫
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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石川 信
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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堀江 美香
R&dサポートセンター
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山崎 俊太郎
Nec共通基盤ソフトウェア研究所:慶應義塾大学先導研究センター
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鳥飼 俊敬
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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神田 征広
日本電気(株)伝送デバイス事業部
著作論文
- RIBE・クエン酸系選択エッチング併用プロセスを用いて作成したEDFA励起用980 nmレーザ
- 0.98μm LDの高効率結合系の検討
- C-4-35 端面非注入型リッジ埋め込み構造を有する980nmレーザの高出力特性
- 高速データリンク用0.98μm InGaAs/AlGaAsレーザの25-100℃ APCフリー 600Mb/s変調動作
- 100℃-2.5Gb/s高速変調動作の0.98-μm InGaAs/AlGaAsレーザ
- 0.98μm帯InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザの端面劣化寿命
- 光ファイバー増幅器励起用高出力半導体レーザー
- その場観察RIBEを用いて作製した0.98μm帯InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザの発振特性