水戸 郁夫 | 日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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水戸 郁夫
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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水戸 郁夫
日本電気株式会社エレクトロニクス研究所
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加藤 友章
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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石川 信
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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北村 光弘
日本電気株式会社 光エレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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加藤 友章
NEC光・無線デバイス研究所
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加藤 友章
Nec光・超高周波デバイス研究所
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山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
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山口 昌幸
日本電気株式会社
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深谷 一夫
日本電気(株)
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深谷 一夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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石川 信
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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鈴木 明
日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所
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阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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浅野 英樹
日本電気株式会社エレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
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阪田 康隆
日本電気株式会社エレクトロニクス研究所
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水谷 由宏
上智大学理工学部物理学科
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水谷 由宏
上智大 ・ 理工
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水戸 郁夫
日本電気 (株) 光エレクトロニクス研究所
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鹿田 実
日本電気 光エレクトロニクス研
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水谷 由宏
上智大学理工学部機能創造学科
著作論文
- 光ファイバー増幅器励起用高出力半導体レーザー
- MOVPE 選択成長と半導体集積回路への応用
- 超高速/ヘテロダイン通信用光集積デバイス (光通信特集)
- 新しい光源と分光応用 : 第5講半導体レーザーと分光応用
- 波長可変半導体レ-ザ-とコヒ-レント光通信への応用
- 波長可変半導体レ-ザ---1.3-1.5μm帯InGaAsP波長可変半導体レ-ザ- (チュ-ナブルレ-ザ-特集号)
- 長波長量子井戸DFBレ-ザ- (「半導体レ-ザ-とその製作」特集号)
- 光通信に用いられる光デバイス(I)(光通信技術(第2回))
- コヒ-レント光通信技術と光部品 (第17回微小光学研究会プロシ-ディングス--光通信システム・光学素子)
- 光デバイス用成膜技術 (「電子材料のための成膜技術」特集号)