阪田 康隆 | Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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概要
関連著者
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阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
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井元 康雅
Nec Ul開研
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小松 啓郎
Nec
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小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
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山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
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石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
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石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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石坂 政茂
NECシステムプラットフォーム研究所
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石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
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工藤 耕治
NEC光・無線デバイス研究所
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山崎 裕幸
NECナノエレクトロニクス研究所
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室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
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清水 淳一
NEC化合物デバイス株式会社
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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佐々木 善浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
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蓮見 秀世
NEC ULSIデバイス開発研究所
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室谷 義治
NEC関西エレクトロニクス研究所
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小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
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古嶋 裕司
NEC ULSIデバイス開発研究所
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山口 昌幸
NEC光・超高周波デバイス研究所
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石坂 政茂
NEC Ul開研
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山崎 裕幸
NEC光・超高周波デバイス研究所
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阪田 康隆
ULSIデバイス開発研究所
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山口 昌幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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佐々木 達也
NEC光・無線デバイス研究所
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屋敷 健一郎
NEC光・無線デバイス研究所
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安食 浩司
NEC関西
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古嶋 裕司
NEC光・超高周波デバイス研究所
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阪田 康隆
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
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工藤 耕治
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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加藤 友章
NEC光・無線デバイス研究所
-
加藤 友章
Nec光・超高周波デバイス研究所
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横山 吉隆
NEC光・超高周波デバイス研究所
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高井 徹
NEC関西
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加藤 広己
NEC関西
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谷口 義登
NEC関西
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石坂 政茂
NEC光エレクトロニクス研究所
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佐々木 善浩
ULSIデバイス開発研究所
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厚井 大明
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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厚井 大明
NECエレクトロニクス化合物デバイス事業部
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伊藤 彰浩
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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山崎 裕幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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石川 信
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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室谷 義治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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森本 卓夫
NECナノエレクトロニクス研究所
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加藤 豪
Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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山崎 裕幸
NEC 光エレクトロニクス研究所
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細田 哲也
NEC ULSIデバイス開発研究所
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森本 卓夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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石坂 政茂
NEC光・超高周波デバイス研究所
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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清水 淳一
NEC Ul開研
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北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
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奥貫 雄一郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
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室谷 義治
関西エレ研
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井元 康雅
ULSIデバイス開発研究所
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森本 卓夫
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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北村 光弘
Nec
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佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
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小林 功郎
東京工業大学 精密工学研究所
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小林 功郎
東京工業大学精密工学研究所
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小林 功郎
東京工業大学
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加藤 友章
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
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奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
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奥田 哲朗
NEC関西エレクトロニクス研究所
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村上 智樹
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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山本 雅樹
Nec化合物デバイス事業部
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北村 光弘
NEC 光エレクトロニクス研究所
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北村 光弘
日本電気株式会社 光エレクトロニクス研究所
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北村 光弘
NEC光エレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
NEC 光・無線デバイス研究所
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福知 清
システムプラットフォーム研究所
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福知 清
Nec C&cメディア研究所
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加藤 友章
NEC 光・無線デバイス研究所
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北村 昌太郎
NEC化合物デバイス事業部
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加藤 友章
NEC光エレクトロニクス研究所
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山崎 裕幸
NEC光デバイス事業部
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屋敷 健一郎
NEC 光・無線デバイス研究所
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藍川 俊治
NEC化合物デバイス(事)
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横山 吉隆
NEC 光・超高研
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厚井 大明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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後藤 明生
NEC伝送デバイス事業部
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木村 直樹
NEC伝送デバイス事業部
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石坂 政茂
NEC光超高周波研究所
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室谷 義治
関西エレクトロニクス研究所
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加藤 広巳
NEC関西
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工藤 耕治
NEC光超高周波研究所
-
山口 昌幸
NEC光超高周波研究所
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井元 康雅
NECULSIデバイス開発研究所
-
小松 啓郎
NEC化合物デバイス事業部
-
阪田 康隆
NEC LSIデバイス開発研究所
-
井元 康雅
NEC LSIデバイス開発研究所
-
清水 淳一
NEC光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部
-
小松 哲郎
NEC 光エレクトロニクス研究所
-
奥貫 雄一郎
NECULSIデバイス開発研究所
-
山口 昌幸
日本電気株式会社
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古嶋 裕司
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
石坂 政茂
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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水戸 郁夫
日本電気(株)光エレクトロニクス研究所
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田辺 浩一
NEC 関西
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安食 浩司
NEC 関西
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谷口 義登
NEC 関西
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松前 友彦
NEC 関西
-
浅野 英樹
日本電気株式会社エレクトロニクス研究所
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阪田 康隆
日本電気株式会社エレクトロニクス研究所
-
水戸 郁夫
日本電気株式会社エレクトロニクス研究所
著作論文
- 10Gb/s変調器集積化光源とそのチャープ特性の検討
- 狭幅選択MOVPEのプロファイルシミュレーションとスポット変換器集積レーザヘの応用(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 全選択MOVPE成長半導体レーザ (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- 全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD
- 1.3μm帯 CATV 用 ASM-DFB LD
- C-4-1 広温度・低電流動作10-Gb/s AlGaInAs BH構造DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-30 広温度動作10Gb/s直接変調DFB-TOSAの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高温高信頼1.3μm歪MQW-ASM-DC-PBHレーザ
- 全MOVPE選択成長による, 1.3μm 帯歪MQW-BHレーザ
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- 2.5Gb/s L帯WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの伝送特性
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- スポットサイズ変換器集積ASM-LDの高温低電流動作
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- SC-3-6 WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LDの波長分布制御
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- 2.5Gb/s DFB/MOD の通常分散ファイバー800km伝送
- MOVPE選択成長を用いた光変調器集積化光源
- バンドギャップ制御選択MOVPEによる10Gb/s用変調器集積化光源
- DFB-LD/変調器集積化光源における低電圧・高出力化の検討
- 低電圧駆動・高出力DFB-LD/変調器集積化光源
- 変調器集積化光源の低チャープ動作条件の検討(II)
- 電流ブロック層への再結合層ストライプ挿入による1.3μm SSC-ASM LDの高温高出力特性の向上
- SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
- 2.5Gbps変調器集積化光源モジュールのWDM対応 (半導体デバイス特集) -- (コミュニケーション関連デバイス)
- 全MOVPE選択成長型1.3μm歪MQW-BHレーザの高均一特性
- 1.3μm・歪MQW-ASM-RIB-PBHレーザにおける高均一・低しきい値動作
- 導波路幅拡大構造スポットサイズ変換器集積レーザのテーパ形状最適化
- 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
- 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
- MOVPE 選択成長と半導体集積回路への応用