山崎 裕幸 | NEC光・超高周波デバイス研究所

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概要

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• NEC光・超高周波デバイス研究所の論文著者

関連著者

• 山崎 裕幸

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 山崎 裕幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC光・無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 佐々木 善浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 古嶋 裕司

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 阪田 康隆

  ULSIデバイス開発研究所

• 佐々木 善浩

  ULSIデバイス開発研究所

• 小松 啓郎

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 奥貫 雄一郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 小松 啓郎

  Nec

• 後藤 明生

  日本電気株式会社光デバイス事業部

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 細田 哲也

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 石坂 政茂

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 厚井 大明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 後藤 明生

  NEC伝送デバイス事業部

• 木村 直樹

  NEC伝送デバイス事業部

• 奥貫 雄一郎

  NECULSIデバイス開発研究所

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 厚井 大明

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

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著作論文

• 500mW出力EDFA励起用1.48μm帯ASM-DC-PBHレーザ
• スポットサイズ変換器集積ASM-LDの高温低電流動作
• 電流ブロック層への再結合層ストライプ挿入による1.3μm SSC-ASM LDの高温高出力特性の向上
• 導波路幅拡大構造スポットサイズ変換器集積レーザのテーパ形状最適化
• 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
• 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
• WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術

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