奥貫 雄一郎 | NECULSIデバイス開発研究所

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• NECULSIデバイス開発研究所の論文著者

関連著者

• 山崎 裕幸

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC光・無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 古嶋 裕司

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 奥貫 雄一郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 山崎 裕幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 阪田 康隆

  ULSIデバイス開発研究所

• 奥貫 雄一郎

  NECULSIデバイス開発研究所

• 佐々木 善浩

  ULSIデバイス開発研究所

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

もっと見る 閉じる

著作論文

• 電流ブロック層への再結合層ストライプ挿入による1.3μm SSC-ASM LDの高温高出力特性の向上

スポンサーリンク