奥貫 雄一郎 | NEC ULSIデバイス開発研究所

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概要

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関連著者

• 奥貫 雄一郎

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 山崎 裕幸

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 山崎 裕幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 小松 啓郎

  Nec

• 後藤 明生

  日本電気株式会社光デバイス事業部

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC光・無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 小松 啓郎

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 佐々木 善浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 榎谷 順

  NEC化合物デバイス事業部

• 高野 信司

  NEC化合物デバイス事業部

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 古嶋 裕司

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 厚井 大明

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 後藤 明生

  NEC伝送デバイス事業部

• 木村 直樹

  NEC伝送デバイス事業部

• 阪田 康隆

  ULSIデバイス開発研究所

• 奥貫 雄一郎

  NECULSIデバイス開発研究所

• 佐々木 善浩

  ULSIデバイス開発研究所

• 奥貫 雄一郎

  NEC化合物デバイス事業部

• 遠坂 憲司

  NEC化合物デバイス事業部

• 清水 醇一

  NEC化合物デバイス事業部

• 厚井 大明

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

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著作論文

• スポットサイズ変換器集積ASM-LDの高温低電流動作
• 電流ブロック層への再結合層ストライプ挿入による1.3μm SSC-ASM LDの高温高出力特性の向上
• 2.5 Gb/s光通信用1.3μm帯非温調アイソレータ内蔵同軸型DFB-LDモジュールの開発

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