工藤 耕治 | NECナノエレクトロニクス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
-
佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
-
水谷 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
-
佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
-
山崎 裕幸
NECナノエレクトロニクス研究所
-
室谷 義治
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 健志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
石坂 政茂
NECナノエレクトロニクス研究所
-
古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
-
岡本 健志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
NEC光・無線デバイス研究所
-
山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
-
石坂 政茂
Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
石坂 政茂
NECシステムプラットフォーム研究所
-
石坂 政茂
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構
-
工藤 耕治
NECシステムデバイス研究所
-
阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
-
須藤 信也
NECシステムデバイス研究所
-
佐藤 健二
NECシステムデバイス研究所
-
阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
ニールセン マッス
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐藤 健二
Necシステムipコア研究所
-
井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
山口 昌幸
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
井元 康雅
Nec Ul開研
-
室谷 義治
NEC光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
NEC光・無線デバイス研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社
-
鶴岡 清貴
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
畠山 大
NECシステムデバイス研究所
-
小松 啓郎
Nec
-
畠山 大
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
屋敷 健一郎
NEC光・無線デバイス研究所
-
森本 卓夫
NECナノエレクトロニクス研究所
-
小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
-
水谷 健二
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
須藤 信也
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐藤 健二
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
森本 卓夫
NEC・ULSIデバイス開発研究所
-
岡本 健志
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
水谷 健二
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
須藤 信也
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
出来 裕香里
NECシステムプラットフオーム研究所
-
高橋 森生
NECシステムプラットフオーム研究所
-
山崎 裕幸
NECシステムプラットフオーム研究所
-
高橋 森生
NECネットワーキング研究所
-
鈴木 耕一
NEC ネットワーキング研究所
-
高橋 森生
NEC光デバイス事業部
-
山崎 裕幸
NEC光デバイス事業部
-
高橋 森生
NECナノエレクトロニクス研究所
-
鈴木 耕一
NEC光デバイス事業部
-
水谷 健二
NECシステムデバイス研究所
-
古嶋 裕司
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 裕幸
Necシステムプラットフォーム研究所
-
ドゥ メルリール
NECシステムデバイス研究所
-
工藤 耕治
NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所
-
山口 昌幸
NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所
-
出来 裕香理
Necナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
室谷 義治
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
竹内 剛
Necナノエレクトロニクス研究所
-
竹内 剛
Necシステムプラットフォーム研究所
-
古嶋 裕司
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
横山 吉隆
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 裕幸
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
-
清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
-
屋敷 健一郎
NECシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部
-
石坂 政茂
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
石坂 政茂
NEC Ul開研
-
出来 裕香理
NECシステムプラットフォーム研究所
-
石坂 政茂
NEC株式会社 光・超高周波デバイス研究所
-
佐々木 達也
NEC株式会社 光・超高周波デバイス研究所
-
山崎 裕幸
NEC株式会社 光・超高周波デバイス研究所
-
佐藤 峰斗
NECシステムIPコア研究所
-
屋敷 健一郎
Necシステムipコア研究所
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
-
山口 昌幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
-
加藤 友章
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
千田 浩明
NECシステムデバイス研究所
-
浜本 貴一
NECシステムデバイス研究所
-
佐々木 達也
NEC 光・無線デバイス研究所
-
ニールセン マッス
NECナノエレクトロニクス研究所
-
清水 淳一
NEC化合物デバイス株式会社
-
室谷 義治
関西エレクトロニクス研究所
-
阪田 康隆
ULSIデバイス開発研究所
-
佐藤 峰斗
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐々木 善浩
ULSIデバイス開発研究所
-
千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
-
加藤 友章
Necシステムipコア研究所
-
奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
-
奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
-
森 一男
NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
奥田 哲朗
NEC関西エレクトロニクス研究所
-
佐久間 寿人
Necナノエレクトロニクス研究所
-
難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
-
佐藤 健二
NEC光・無線デバイス研究所
-
畠山 大
NEC光・無線デバイス研究所
-
須藤 信也
NEC光・無線デバイス研究所
-
佐々木 善浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
佐藤 成哲
Nec化合物デバイス株式会社
-
工藤 耕治
Nec
-
屋敷 健一郎
NEC 光・無線デバイス研究所
-
高井 徹
NEC関西
-
加藤 広己
NEC関西
-
谷口 義登
NEC関西
-
水谷 健二
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
須藤 信也
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
佐藤 健二
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
工藤 耕治
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
浜本 貴一
NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所
-
畠山 大
NEC株式会社光・超高周波デバイス研究所
-
出来 裕香里
Necシステムプラットフォーム研究所
-
玉貫 岳正
日本電気(株)ネットワーキング研究所
-
高江洲 績全
NEC R&Dサボートセンター
-
堀江 美香
NEC R&Dサボートセンター
-
鈴木 耕一
NECネットワーキング研究所
-
難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
-
辻 正芳
NECシステムデバイス研究所
-
室谷 義治
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
佐々木 達也
NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所
-
鈴木 尚文
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
屋敷 健一郎
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
山田 みつき
日本電気株式会社システムデバイス研究所
-
山田 みつき
Nec システムデバイス研究所
-
佐々木 達也
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
森 一男
NEC 光・無線デバイス研究所
-
阿江 敬
NEC 光・無線デバイス研究所
-
阿江 敬
NEC光・無線デバイス研究所
-
仁道 正明
NECシステムデバイス研究所
-
三好 一徳
NECシステムプラットフォーム研究所
-
山田 みつき
NECシステムデバイス研究所
-
福知 清
システムプラットフォーム研究所
-
福知 清
Nec C&cメディア研究所
-
佐藤 成哲
NEC化合物デバイス事業部
-
森本 卓夫
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
森本 卓夫
NECシステムデバイス研究所
-
高江洲 績全
R&dサポートセンター
-
山崎 裕幸
NEC 光エレクトロニクス研究所
-
蓮見 秀世
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
安食 浩司
NEC関西
-
ドゥ・メルリール ヤン
NECシステムデバイス研究所
-
浜本 貴一
NEC光・無線デバイス研究所
-
畠山 大
NEC 光・無線デバイス研究所
-
難波江 宏一
NEC 光・無線デバイス研究所
-
鈴木 尚文
NEC 光・無線デバイス研究所
-
須藤 信也
NEC 光・無線デバイス研究所
-
室谷 義治
NEC 光・無線デバイス研究所
-
佐藤 健二
NEC 光・無線デバイス研究所
-
森本 卓夫
NEC 光・無線デバイス研究所
-
玉貫 岳正
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
清水 淳一
NEC Ul開研
-
横山 吉隆
NEC 光・超高研
-
北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
-
奥貫 雄一郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
室谷 義治
関西エレ研
-
石坂 政茂
NEC光超高周波研究所
-
加藤 広巳
NEC関西
-
工藤 耕治
NEC光超高周波研究所
-
山口 昌幸
NEC光超高周波研究所
-
奥貫 雄一郎
NECULSIデバイス開発研究所
-
細田 哲也
NEC化合物デバイス株式会社
-
山口 昌幸
日本電気株式会社
-
佐藤 峰斗
NECナノエレクトロニクス研究所
-
Nielsen M.L.
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
岡本 健志
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
鶴岡 清貴
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
ニールセン マッス
NECシステムデバイス研究所
-
岡本 健志
NECシステムデバイス研究所
-
ドゥ メルリール
System Devices Research Laboratories, NEC Corporation
-
佐藤 成哲
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
-
正野 篤士
NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.
-
石坂 政茂
NEC化合物デバイス事業部
-
横山 吉隆
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
森 一男
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
山口 晶幸
NECシステムデバイス・基礎研究本部
-
横山 吉隆
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
浜本 貴一
日本電気株式会社光・無線デバイス研究所
-
森本 卓夫
NEC光・超高周波デバイス研究所
-
古嶋 裕司
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
石坂 政茂
NEC 光・超高周波デバイス研究所
-
横山 吉隆
日本電気株式会社光デバイス事業部
-
辻 正芳
グリーンイノベーション研究所
-
玉貫 岳正
Nec光・超高周波デバイス研究所
-
正野 篤士
Nec Compound Semiconductor Devices Ltd.
-
堀江 美香
R&dサポートセンター
-
中崎 義
NEC光・超高周波デバイス研究所
著作論文
- フレキシブル基板プラットフォーム上のシングルモードファイバ直接結合10Gbps VCSEL-TOSA(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス, 光集積回路, 一般)
- 全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- CS-9-4 InP-MZ変調器集積チューナブルレーザ(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
- C-4-5 MZ変調器集積フルCバンド波長可変小型10Gbps-80km伝送モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- C-4-14 液晶チューナブルミラーを用いた外部共振器型波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- C-4-15 AR/HR型非対称λ/4位相シフト回折格子を有するEA変調器集積DFB-LD
- C-4-14 10Gb/s-WDM用異波長一括形成EA変調器集積DFB-LD
- 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 広波長範囲(1530〜1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(2) : 素子特性
- 広波長範囲(1530-1610nm)EA変調器集積DFB-LDの一括形成(1) : 設計コンセプトと作製方法
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をギノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性、一般)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- 電流ブロック層への再結合層ストライプ挿入による1.3μm SSC-ASM LDの高温高出力特性の向上
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-21 半導体MZ・ループリングフィルタを用いた小型広帯域波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-14 MZ変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 液晶チューナブルミラーを用いたITLA対応小型波長可変レーザモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-34 SOA変調器集積外部共振器型波長可変レーザの2.5Gbps-360kmフルバンド伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-30 液晶チューナブルミラーを用いた高出力・広帯域外部共振器型波長可変レーザモジュール(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- マイクロアレイ波長選択光源のデバイス設計 : MMIの3次元BPMと、実験結果との比較
- 異波長帯マイクロアレイ波長選択光源のウエハ内一括作製
- C-3-89 導波路リング共振器と半導体光増幅器による波長可変レーザ(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- SC-3-7 LバンドWDM伝送に対応した1.56〜1.61μmASM-SI-BH型EA変調器集積DFB-LD
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-3-130 PLCリング共振器による波長可変レーザ(II)(C-3. 光エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- SC-2-4 DWDM用波長選択光源
- 光エレクトロニクス
- 光エレクトロニクス
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- 高速・広波長帯域化の進むDWDMに対応した異波長一括作製EA変調器集積DFB-LD
- マイクロアレイ技術によるWDM用波長選択光源
- 多波長マイクロアレイ半導体レーザ
- 導波路幅拡大構造スポットサイズ変換器集積レーザのテーパ形状最適化
- 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
- 導波路幅拡大構造を有するスポットサイズ変換器集積レーザ
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術
- WDM用異波長光源の1ウエハ内一括作製技術