ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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概要
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高密度波長多重(DWDM)光通信システムにおいて、省エネ・低コストで広波長帯域をカバーできる波長可変レーザが強く求められている。これらの要求を満たす光源として、石英系導波路リングフィルタと半導体光増幅器(SOA)とをハイブリッド集積した広帯域波長可変レーザが報告されている。今回、光源の大幅な小型化を図るため、フィルタ部の半導体化を検討、新たにループ配置半導体リング・MZIフィルタ構造を提案する。そして、全機能領域をモノリシック集積した波長可変レーザにおいて波長可変幅(Δλ=)39nmを得たので報告する。
- 2008-08-21
著者
-
水谷 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 健志
NECナノエレクトロニクス研究所
-
須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 健志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
水谷 健二
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
須藤 信也
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐藤 健二
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
ニールセン マッス
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 健志
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
水谷 健二
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
須藤 信也
日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社
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