DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-04-09
著者
-
佐藤 健二
Necナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
加藤 友章
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
須藤 信也
NECナノエレクトロニクス研究所
-
岡本 健志
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
水谷 健二
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
須藤 信也
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐藤 峰斗
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
工藤 耕治
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
-
佐藤 健二
日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所
関連論文
- Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10 Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- CS-3-3 アクティブMMIによるFTTH用1V駆動レーザー(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- CS-9-4 InP-MZ変調器集積チューナブルレーザ(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
- C-4-5 MZ変調器集積フルCバンド波長可変小型10Gbps-80km伝送モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- C-4-14 液晶チューナブルミラーを用いた外部共振器型波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
- C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
- C-4-26 λ/8位相シフトDEB-LDの耐反射2.5Gb/s伝送特性
- C-4-24 直接変調DFBレーザにおける伝送波形のパルス圧縮効果
- 直接変調λ/8位相シフトDFBレーザの低チャープ動作
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をギノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性、一般)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性,一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-21 半導体MZ・ループリングフィルタを用いた小型広帯域波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-4-14 MZ変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-22 液晶チューナブルミラーを用いたITLA対応小型波長可変レーザモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-34 SOA変調器集積外部共振器型波長可変レーザの2.5Gbps-360kmフルバンド伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- C-4-30 液晶チューナブルミラーを用いた高出力・広帯域外部共振器型波長可変レーザモジュール(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
- マイクロアレイ波長選択光源のデバイス設計 : MMIの3次元BPMと、実験結果との比較
- C-3-89 導波路リング共振器と半導体光増幅器による波長可変レーザ(C-3. 光エレクトロニクス(アクティブモジュール), エレクトロニクス1)
- 半導体薄膜BH-DFBレーザアレイに関する研究(量子効果型光デバイス,及び光集積化技術,及び一般)
- 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
- EB露光回折格子のスティッチングエラー評価
- 高効率な非対称回折格子周期変調位相シフトDFBレーザ
- 重み付けEB露光によるDFBレーザ回折格子の位相精密制御
- MOVPE 選択成長と半導体集積回路への応用
- C-3-30 90-nm CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器 (光エレクトロニクス)
- DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- CMOSロジックIC直接駆動対応線形加速器型縦列電極構造InP MZ変調器(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)