Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調10 Gb/s AlGaInAs-MQW-FP-LD(光波センシング,光波制御・検出,光計測,ニューロ,一般)
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概要
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狭幅選択MOVPE成長AlGaInAs-MQW活性層をルテニウム(Ru)ドープ高抵抗InPで埋め込んだ1.3μm帯埋め込み構造FP-LDを開発した.本素子は従来のFeドープ高抵抗InP埋め込み構造非温調LDと遜色ない実用的なL-I特性を示し、170℃までの発振動作を確認した。また、120℃までの10Gb/s直接変調動作を実現し、85℃のAPC信頼性試験において3,500時間以上の安定動作を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-02-10
著者
-
小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
-
鶴岡 清貴
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
小林 隆二
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
難波江 宏一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
加藤 友章
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
-
加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社
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