C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-08
著者
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小林 隆二
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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小林 隆二
Necシステムデバイス研究所
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鶴岡 清貴
NECシステムデバイス研究所
-
難波江 宏一
NECシステムデバイス研究所
-
徳留 圭一
NECシステムデバイス研究所
-
大澤 洋一
NECシステムデバイス研究所
-
加藤 友章
NECシステムデバイス研究所
-
徳留 圭一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
大澤 洋一
日本電気株式会社 システムデバイス研究所
-
難波江 宏一
NEC システムデバイス研究所
-
加藤 友章
Necナノエレクトロニクス研究所
-
鶴岡 清貴
NECナノエレクトロニクス研究所
-
加藤 友章
Necシステムipコア研究所
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