C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)

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概要

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• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-03-08

著者

• 小林 隆二

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 小林 隆二

  Necシステムデバイス研究所

• 鶴岡 清貴

  NECシステムデバイス研究所

• 難波江 宏一

  NECシステムデバイス研究所

• 徳留 圭一

  NECシステムデバイス研究所

• 大澤 洋一

  NECシステムデバイス研究所

• 加藤 友章

  NECシステムデバイス研究所

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 大澤 洋一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 難波江 宏一

  NEC システムデバイス研究所

• 加藤 友章

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 鶴岡 清貴

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 加藤 友章

  Necシステムipコア研究所

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