小林 隆二 | Necシステムデバイス研究所

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• 小林 隆二

  Necシステムデバイス研究所

• 小林 隆二

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 鶴岡 清貴

  NECシステムデバイス研究所

• 加藤 友章

  NECシステムデバイス研究所

• 加藤 友章

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 加藤 友章

  Necシステムipコア研究所

• 大澤 洋一

  NECシステムデバイス研究所

• 大澤 洋一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  NECシステムデバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  Necシステムipコア研究所

• 佐藤 健二

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 石川 信

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 室谷 義治

  NEC化合物デバイス(株)

• 奥田 哲朗

  NEC化合物デバイス(株)

• 石川 信

  NEC化合物デバイス(株)

• 千田 浩明

  NECシステムデバイス研究所

• 須藤 信也

  NECシステムデバイス研究所

• 佐藤 健二

  NECシステムデバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECシステムデバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 奥田 哲朗

  NEC光・無線デバイス研究所

• 難波江 宏一

  NEC システムデバイス研究所

• 鶴岡 清貴

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 須藤 信也

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 千田 浩明

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 佐藤 健二

  Necシステムipコア研究所

• 難波江 宏一

  NECシステムデバイス研究所

• 徳留 圭一

  NECシステムデバイス研究所

• 徳留 圭一

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 中村 隆宏

  NECシステムデバイス研究所

• 深津 公良

  NECシステムデバイス研究所

• 深津 公良

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 加藤 豪

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 加藤 豪

  NEC化合物デバイス(株)

• 栗原 佑介

  NEC化合物デバイス(株)

• 黄 翊東

  NECシステムデバイス研究所

• 畠山 大

  NECシステムデバイス研究所

• 赤川 武志

  NECシステムデバイス研究所

• 鈴木 尚文

  NECシステムデバイス研究所

• 阿南 隆由

  NECシステムデバイス研究所

• 辻 正芳

  NECシステムデバイス研究所

• 深津 公良

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 小林 隆二

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 芝 和宏

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 難波江 宏一

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 森 一男

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 石坂 政茂

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 芝 和宏

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 鈴木 尚文

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 阿南 隆由

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 畠山 大

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 赤川 武志

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 芝 和宏

  NEC光デバイス事業部

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 芝和 宏

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 辻 正芳

  グリーンイノベーション研究所

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

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著作論文

• C-4-11 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-DFB-LDの120℃-10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-9 120℃低電流駆動10Gb/s1.3μmAlGaInAs BH FPレーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
• C-4-8 Ruドープ高抵抗InP埋め込み構造AlGaInAs-MQW-FP-LDの110℃-10Gb/s動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(半導体レーザ), エレクトロニクス1)
• 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• 10Gb/s,1.3μm帯AlGaInAs系BH構造DFB-LDの低駆動電流動作(光波ネットワーク・光アクセスに向けた光波デバイス,光集積回路,一般)
• C-4-26 100℃低駆動電流動作10Gb/s 1.3μm AlGaInAs BH DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
• C-3-71 プラスチックモールド送信モジュールの6Gb/s広温度動作(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
• 高速EA変調器を用いた40Gb/s-NRZ伝送特性の解析
• 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)

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