須藤 信也 | NECナノエレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 須藤 信也

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 健二

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 水谷 健二

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 岡本 健志

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 鶴岡 清貴

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 岡本 健志

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 須藤 信也

  NECシステムデバイス研究所

• 加藤 友章

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  NECシステムデバイス研究所

• ニールセン マッス

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 健二

  NECシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 佐藤 健二

  Necシステムipコア研究所

• 鶴岡 清貴

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部

• 水谷 健二

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 須藤 信也

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 健二

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  Nec 光・無線デバイス研

• 難波江 宏一

  NEC システムデバイス研究所

• 岡本 健志

  日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所

• 水谷 健二

  日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所

• 須藤 信也

  日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  日本電気株式会社

• 難波江 宏一

  NECシステムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 水谷 健二

  NECシステムデバイス研究所

• ドゥ メルリール

  NECシステムデバイス研究所

• 大矢 昌輝

  Nec システムデバイス研究所

• 笠原 健一

  立命館大学

• 大矢 昌輝

  NECシステムデバイス研究所

• 浜本 貴一

  NECシステムデバイス研究所

• 清水 省吾

  立命館大学理工学部

• 森本 卓夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 笠原 健一

  立命館大学大学院理工学研究科

• 森本 卓夫

  NEC・ULSIデバイス開発研究所

• 清水 省吾

  立命館大学大学院理工学研究科

• 山崎 裕幸

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 出来 裕香里

  NECシステムプラットフオーム研究所

• 高橋 森生

  NECシステムプラットフオーム研究所

• 山崎 裕幸

  NECシステムプラットフオーム研究所

• 高橋 森生

  NECネットワーキング研究所

• 鶴岡 清貴

  NECシステムデバイス研究所

• 加藤 友章

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  NECシステムデバイス研究所

• 畠山 大

  NECシステムデバイス研究所

• 竹内 剛

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 竹内 剛

  Necシステムプラットフォーム研究所

• 畠山 大

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 鈴木 耕一

  NEC ネットワーキング研究所

• 高橋 森生

  NEC光デバイス事業部

• 山崎 裕幸

  NEC光デバイス事業部

• 高橋 森生

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 鈴木 耕一

  NEC光デバイス事業部

• 佐藤 峰斗

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 山崎 裕幸

  Necシステムプラットフォーム研究所

• 出来 裕香理

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 出来 裕香理

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 峰斗

  NECシステムIPコア研究所

• 屋敷 健一郎

  Necシステムipコア研究所

• 小林 隆二

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 小林 隆二

  Necシステムデバイス研究所

• 加藤 友章

  NECシステムデバイス研究所

• 千田 浩明

  NECシステムデバイス研究所

• モハマド ダニアル

  立命館大学理工学部

• ダニアル モハマド

  立命館大学理工学部

• ニールセン マッス

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 千田 浩明

  Necシステムデバイス・基礎研究本部

• 加藤 友章

  Necシステムipコア研究所

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 森 一男

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 佐久間 寿人

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  NEC光・無線デバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  NEC光・無線デバイス研究所

• 佐藤 健二

  NEC光・無線デバイス研究所

• 畠山 大

  NEC光・無線デバイス研究所

• 須藤 信也

  NEC光・無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 佐藤 成哲

  Nec化合物デバイス株式会社

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 水谷 健二

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 須藤 信也

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 佐藤 健二

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 工藤 耕治

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 玉貫 岳正

  日本電気(株)ネットワーキング研究所

• 工藤 耕治

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 室谷 義治

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC システムデバイス・基礎研究本部 光・無線デバイス研究所

• 鈴木 尚文

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 須藤 信也

  NEC システムデバイス研究所

• 浜本 貴一

  NEC システムデバイス研究所

• 森 一男

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 阿江 敬

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 阿江 敬

  NEC光・無線デバイス研究所

• 佐藤 成哲

  NEC化合物デバイス事業部

• 森本 卓夫

  NECシステムデバイス研究所

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• ドゥ・メルリール ヤン

  NECシステムデバイス研究所

• 畠山 大

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 難波江 宏一

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 鈴木 尚文

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 須藤 信也

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 佐藤 健二

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 森本 卓夫

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 玉貫 岳正

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 細田 哲也

  NEC化合物デバイス株式会社

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 佐藤 峰斗

  NECナノエレクトロニクス研究所

• Nielsen M.L.

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 岡本 健志

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 鶴岡 清貴

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• ニールセン マッス

  NECシステムデバイス研究所

• 岡本 健志

  NECシステムデバイス研究所

• ドゥ メルリール

  System Devices Research Laboratories, NEC Corporation

• 佐藤 成哲

  NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.

• 正野 篤士

  NEC Compound Semiconductor Devices, Ltd.

• 石坂 政茂

  NEC化合物デバイス事業部

• 横山 吉隆

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 森 一男

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 山口 晶幸

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 玉貫 岳正

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 正野 篤士

  Nec Compound Semiconductor Devices Ltd.

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

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著作論文

• 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• CS-3-3 アクティブMMIによるFTTH用1V駆動レーザー(CS-3. 高機能・低コスト化が進むメトロ・アクセス用光部品の最新動向, エレクトロニクス1)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待論文]マイクロアレイ選択成長を用いた波長選択光源(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• CS-9-4 InP-MZ変調器集積チューナブルレーザ(CS-9.大容量・高機能光通信時代を拓く集積光デバイス,シンポジウムセッション)
• C-4-5 MZ変調器集積フルCバンド波長可変小型10Gbps-80km伝送モジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• 狭幅選択MOVPEを用いたAlGaInAs-MQW構造10Gb/s非温調EA変調器集積光源(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• C-4-14 液晶チューナブルミラーを用いた外部共振器型波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• 低駆動電圧アクティブMMIレーザの動特性(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)
• C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
• DC型ミラーを介してMZ型光変調器をギノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性、一般)
• DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性,一般)
• DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(光部品の実装・信頼性,一般)
• ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• ループ配置半導体リング・MZIフィルタを用いた小型広帯域モノリシック波長可変レーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• C-4-21 半導体MZ・ループリングフィルタを用いた小型広帯域波長可変レーザ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• C-4-14 MZ変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-22 液晶チューナブルミラーを用いたITLA対応小型波長可変レーザモジュール(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-34 SOA変調器集積外部共振器型波長可変レーザの2.5Gbps-360kmフルバンド伝送特性(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• C-4-30 液晶チューナブルミラーを用いた高出力・広帯域外部共振器型波長可変レーザモジュール(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(波長可変レーザ), エレクトロニクス1)
• 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
• 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
• 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
• C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
• 広帯域波長可変レーザ・モジュールの最近の進展(光部品・電子デバイス実装技術, 一般)
• DC型ミラーを介してMZ型光変調器をモノリシック集積した小型波長可変光源の10Gb/s-80km伝送特性

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