森本 卓夫 | NECナノエレクトロニクス研究所

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概要

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関連著者

• 森本 卓夫

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 森本 卓夫

  NEC・ULSIデバイス開発研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 須藤 信也

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 佐藤 健二

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 水谷 健二

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 加藤 友章

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 鶴岡 清貴

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 岡本 健志

  NECナノエレクトロニクス研究所

• ニールセン マッス

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 森本 卓夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 岡本 健志

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• ニールセン マッス

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 山口 昌幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 畠山 大

  NECシステムデバイス研究所

• 森 一男

  NECラボラトリーズ 光無線デバイス研究所

• 畠山 大

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 浜本 貴一

  NECシステムデバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 蓮見 秀世

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 安食 浩司

  NEC関西

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 井元 康雅

  Nec Ul開研

• 玉貫 岳正

  日本電気(株)ネットワーキング研究所

• 工藤 耕治

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  NECシステムデバイス研究所

• 須藤 信也

  NECシステムデバイス研究所

• 工藤 耕治

  NECシステムデバイス研究所

• 室谷 義治

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NECシステムデバイス・基礎研究本部光・無線デバイス研究所

• 村上 智樹

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 佐々木 達也

  日本電気(株)システムデバイス・基礎研究本部

• 鈴木 尚文

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 屋敷 健一郎

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 難波江 宏一

  NEC システムデバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC光・無線デバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  NEC光・無線デバイス研究所

• 工藤 耕治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 森 一男

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 阿江 敬

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 阿江 敬

  NEC光・無線デバイス研究所

• 森本 卓夫

  日本電気株式会社 システムデバイス研究所

• 森本 卓夫

  NECシステムデバイス研究所

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 佐々木 善浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 古嶋 裕司

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 細田 哲也

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 榎谷 順

  NEC化合物デバイス事業部

• 高野 信司

  NEC化合物デバイス事業部

• 浜本 貴一

  NEC光・無線デバイス研究所

• 畠山 大

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 難波江 宏一

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 鈴木 尚文

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 須藤 信也

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 屋敷 健一郎

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 佐藤 健二

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 森本 卓夫

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 横山 吉隆

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 玉貫 岳正

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 加藤 広己

  NEC関西

• 加藤 広巳

  NEC関西

• 谷口 義登

  NEC関西

• 工藤 耕治

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 細田 哲也

  NEC化合物デバイス株式会社

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 山口 昌幸

  日本電気株式会社

• 田中 博仁

  NEC光デバイス事業部

• 石坂 政茂

  NEC化合物デバイス事業部

• 横山 吉隆

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 森 一男

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 山口 晶幸

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 横山 吉隆

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 浜本 貴一

  日本電気株式会社光・無線デバイス研究所

• 森本 卓夫

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 横山 吉隆

  日本電気株式会社光デバイス事業部

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 田中 博仁

  NEC化合物デバイス(事)

• 小松 啓郎

  NEC・ULSIデバイス開発研究所

• 田辺 浩一

  NEC 関西

• 安食 浩司

  NEC 関西

• 谷口 義登

  NEC 関西

• 松前 友彦

  NEC 関西

• 玉貫 岳正

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 上原 邦夫

  NEC化合物デバイス事業部

• 上原 邦夫

  日本電気(株)

• 佐々木 達也

  Nec 光・無線デバイス研

• 工藤 耕治

  日本電気株式会社 ナノエレクトロニクス研究所

• 屋敷 健一郎

  Necシステムipコア研究所

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 工藤 耕治

  日本電気株式会社

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著作論文

• 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• 全MOVPE選択成長による, 1.3μm 帯歪MQW-BHレーザ
• C-4-3 S、C、L帯に亘る高出力マイクロアレイ波長選択光源の一括作製
• 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• 結合量子井戸SOAを用いた広帯域・外部共振器型波長可変レーザ(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
• C-4-23 広波長域ディチューニシグ制御を可能としたEA変調器集積化マイクロアレイ波長選択光源
• マイクロアレイ波長選択光源のデバイス設計 : MMIの3次元BPMと、実験結果との比較
• 異波長帯マイクロアレイ波長選択光源のウエハ内一括作製
• C-4-21 SBS抑圧1.55μm帯CW光源
• 全MOVPE選択成長型1.3μm歪MQW-BHレーザの高均一特性
• 耐環境性1.55μmλ/4シフト歪MQW-DFB LDモジュールの伝送特性

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