佐々木 善浩 | NEC ULSIデバイス開発研究所
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概要
関連著者
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佐々木 善浩
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
阪田 康隆
NEC ULSIデバイス開発研究所
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阪田 康隆
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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山崎 裕幸
NECナノエレクトロニクス研究所
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蓮見 秀世
NEC ULSIデバイス開発研究所
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小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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井元 康雅
NEC ULSIデバイス開発研究所
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細田 哲也
NEC ULSIデバイス開発研究所
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井元 康雅
Nec Ul開研
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村上 智樹
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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古嶋 裕司
NEC ULSIデバイス開発研究所
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古嶋 裕司
NEC化合物デバイス株式会社
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山崎 裕幸
NEC光・超高周波デバイス研究所
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小松 啓郎
Nec
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鳥飼 俊敬
NEC関西エレクトロニクス研究所
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工藤 耕治
NECナノエレクトロニクス研究所
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山田 博仁
NEC(株)関西エレクトロニクス研究所
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工藤 耕治
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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山口 昌幸
NEC 光・超高周波デバイス研究所
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清水 淳一
NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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奥田 哲朗
NEC化合物デバイス(株)
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奥田 哲朗
NEC光・無線デバイス研究所
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後藤 明生
日本電気株式会社光デバイス事業部
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奥田 哲朗
NEC 関西エレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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杉山 優子
Nec光エレクトロニクス研究所化合物デバイス事業部
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山本 雅樹
Nec化合物デバイス事業部
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佐々木 達也
NEC光・無線デバイス研究所
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工藤 耕治
NEC光・無線デバイス研究所
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森本 卓夫
NECナノエレクトロニクス研究所
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清水 淳一
NEC化合物デバイス株式会社
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向原 一誠
NEC化合物デバイス株式会社
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山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
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向原 一誠
NECエレクトロニクス株式会社個別半導体事業本部化合物デバイス事業部
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北村 昌太郎
NEC化合物デバイス事業部
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山崎 裕幸
NEC 光エレクトロニクス研究所
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杉山 優子
NEC化合物デバイス事業部
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森本 卓夫
NEC ULSIデバイス開発研究所
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榎谷 順
NEC化合物デバイス事業部
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冨田 恵作
NEC化合物デバイス事業部
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高野 信司
NEC化合物デバイス事業部
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山田 博仁
NEC関西エレクトロニクス研究所
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北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
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奥貫 雄一郎
NEC ULSIデバイス開発研究所
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厚井 大明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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後藤 明生
NEC伝送デバイス事業部
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木村 直樹
NEC伝送デバイス事業部
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山田 博仁
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
鳥飼 俊敬
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
宇治 俊男
NEC 関西エレクトロニクス研究所
-
森本 卓夫
NEC・ULSIデバイス開発研究所
-
山崎 裕幸
NEC ULSIデバイス開発研究所
-
宇治 俊男
NEC関西エレ研
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千賀 賢一
NEC関西エレクトロニクス研究所
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厚井 大明
Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部
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冨田 恵作
Nec化合物デバイス
-
宇治 俊男
Nec 関西エレクトロニクス研
著作論文
- 全選択MOVPE成長型1.3μmスポットサイズ変換器集積LD
- 1.3μm帯 CATV 用 ASM-DFB LD
- 500mW出力EDFA励起用1.48μm帯ASM-DC-PBHレーザ
- C-4-15 200mW出力EDFA励起用1.48μm帯ASM-DC-PBHレーザ
- 高温高信頼1.3μm歪MQW-ASM-DC-PBHレーザ
- 1.3μm帯歪補償MQWλ/4シフトDFB-LDによる広温度範囲2.5Gb/s-51km伝送
- 全MOVPE選択成長による, 1.3μm 帯歪MQW-BHレーザ
- 耐環境性1.3μm帯歪MQWλ/4シフトDFB-LD
- スポットサイズ変換器集積ASM-LDの高温低電流動作
- 安定な変調歪位相特性を有する部分回折格子レーザ
- 1.3μm短共振器歪MQWレーザの無バイアス変調動作
- 導波路幅拡大構造スポットサイズ変換器集積レーザのテーパ形状最適化