北村 昌太郎 | NEC 化合物デバイス(事)

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概要

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関連著者

• 北村 昌太郎

  NEC 化合物デバイス(事)

• 山口 昌幸

  NEC化合物デバイス事業部

• 畠山 大

  NECシステムデバイス研究所

• 小松 啓郎

  Nec

• 小松 啓郎

  Nec Ulsiデバイス開発研究所

• 北村 昌太郎

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 山口 昌幸

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 北村 直樹

  日本電気株式会社光デバイス事業部

• 北村 直樹

  Nec 光エレクトロニクス研

• 木村 直樹

  NEC伝送デバイス事業部

• 玉貫 岳正

  日本電気(株)ネットワーキング研究所

• 畠山 大

  NEC光・無線デバイス研究所

• 玉貫 岳正

  NEC光・無線デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 北村 光弘

  Nec

• 佐々木 純一

  山梨日本電気株式会社光モジュール開発グループ

• 畠山 大

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 加藤 友章

  NEC光・無線デバイス研究所

• 小松 啓郎

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 加藤 友章

  Nec光・超高周波デバイス研究所

• 伊藤 正隆

  日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所

• 伊藤 正隆

  Nec

• 下田 毅

  NECネットワーキング研究所

• 佐々木 達也

  Necシステムデバイス研究所

• 北村 昌太郎

  NEC化合物デバイス事業部

• 下田 毅

  NEC光・無線研究所

• 下田 毅

  NECシステムデバイス・基礎研究本部

• 佐々木 純一

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 伊藤 正隆

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 北村 光弘

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 北村 直樹

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 畠山 大

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 北村 光弘

  日本電気 光エレクトロニクス研

• 加藤 友章

  日本電気(株)

• 下田 毅

  Nec ネットワーキング研

• 蔵田 和彦

  日本電気株式会社光・超高周波デバイス研究所

• 蔵田 和彦

  日本電気株式会社ナノエレクトロニクス研究所

• 阪田 康隆

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 井元 康雅

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 北村 昌太郎

  化合物デバイス事業部

• 蔵田 和彦

  NEC第二伝送通信事業部

• 木村 直樹

  NEC第二伝送事業部

• 阪田 康隆

  Necエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 井元 康雅

  Nec Ul開研

• 工藤 耕治

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 山口 昌幸

  NEC 光・超高周波デバイス研究所

• 室谷 義治

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 清水 淳一

  NECエレクトロニクス株式会社化合物デバイス事業部

• 室谷 義治

  NEC光・無線デバイス研究所

• 室谷 義治

  NEC 関西エレクトロニクス研究所

• 山本 雅樹

  Nec化合物デバイス事業部

• 北村 直樹

  Nec光エレクトロニクス研究所

• 北村 光弘

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  NEC光・無線デバイス研究所

• 佐々木 達也

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 浜本 貴一

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 佐々木 達也

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 工藤 耕治

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 石坂 政茂

  NECナノエレクトロニクス研究所

• 佐々木 善浩

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 加藤 友章

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 古嶋 裕司

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 古嶋 裕司

  NEC化合物デバイス株式会社

• 屋敷 健一郎

  NEC 光・無線デバイス研究所

• 木村 直樹

  NEC第2伝送通信事業部

• 清水 淳一

  NEC Ul開研

• 石坂 政茂

  NEC Ul開研

• 横山 吉隆

  NEC 光・超高研

• 小松 啓郎

  日本電気(株)光エレクトロニクス研究所

• 北村 昌太郎

  日本電気(株)光エレクトロニクス研究所

• 北村 光弘

  日本電気(株)光エレクトロニクス研究所

• 石坂 政茂

  Necナノエレクトロニクス研究所:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 伊藤 正隆

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 石坂 政茂

  NECシステムプラットフォーム研究所

• 木田 信夫

  NEC光エレクトロニク ス研究所

• 北村 光弘

  日本電気(株)

• 佐々木 達也

  Nec 光・無線デバイス研

• 佐々木 純一

  NEC光エレクトロニクス研究所

• 北村 昌太郎

  日本電気(株) 光エレクトロニクス研究所

• 北村 昌太郎

  NEC光・超高周波デバイス研究所

• 石坂 政茂

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

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著作論文

• 高温高信頼1.3μm歪MQW-ASM-DC-PBHレーザ
• ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
• ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
• 石英系光導波路ハイブリッド集積4×4マトリクス光スイッチ
• 2インチウェハ面内波長制御技術を用いた10Gb/s変調器集積DFB-LDのL帯8ch.一括作製
• 光ゲート用SSC-SOA
• 低消費電力(10mW)光アンプゲートモジュール
• S字形状活性層による SSC 付き光アンプゲートの消光比向上
• 低電流駆動スポットサイズ・変換部付き半導体光アンプゲート
• 選択MOVPE法による低動作電流型LDアンプアレイ
• MOVPE選択成長による偏光無依存型1.3μm帯LDアンプアレイ
• 1.55μm帯LDアンプゲートモジュール
• 1.55μm帯LDアンプゲートモジュール
• 高利得・高消光比S字斜め端面型SSC-SOA
• Siプラットフォームのパッシブアライン実装
• オフ基板を用いた斜め端面LDアンプ

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