浜本 貴一 | NEC光エレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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浜本 貴一
NEC光エレクトロニクス研究所
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小松 啓郎
NEC光エレクトロニクス研究所
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小松 啓郎
Nec
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竹内 剛
NEC光エレクトロニクス研究所
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田口 剣申
NEC光エレクトロニクス研究所
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小松 啓郎
Nec Ulsiデバイス開発研究所
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竹内 剛
Nec光無線デバイス研究所
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佐々木 達也
Necシステムデバイス研究所
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浜本 貴一
NECシステムデバイス研究所
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佐々木 達也
NEC光エレクトロニクス研究所
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林 雅子
Nec光エレクトロニクス研究所
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牧田 紀久夫
NEC光エレクトロニクス研究所
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竹内 剛
Nec光・無線デバイス研究所
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佐々木 達也
Nec 光・無線デバイス研
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田口 剣申
日本電気(株)光・超高周波デバイス研究所
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宮崎 孝
R&dサポートセンター
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山口 昌幸
NEC光エレクトロニクス研究所
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畠山 大
NECシステムデバイス研究所
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石川 信
Necシステムデバイス・基礎研究本部
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山本 雅子
NEC光エレクトロニクス研究所
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牧田 紀久生
NEC光エレクトロニクス研究所
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山口 昌幸
NEC化合物デバイス事業部
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北村 昌太郎
NEC 化合物デバイス(事)
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北村 昌太郎
NEC光エレクトロニクス研究所
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畠山 大
NEC光エレクトロニクス研究所
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佐々木 達也
NEC エレクトロニクス研究所
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千田 浩明
NEC光エレクトロニクス研究所
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深谷 一夫
NEC光エレクトロニクス研究所
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宮崎 孝
NEC光エレクトロニクス研究所
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石川 信
NEC光エレクトロニクス研究所
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深谷 一夫
NECシステムデバイス・基礎研究本部
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千田 浩明
Necシステムデバイス・基礎研究本部
著作論文
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[I] : 超低損失埋め込み構造InGaAsP/InP受動光導波路
- 29a-ZF-3 選択MOVPE成長で製作した埋め込み構造曲線導波路の過剰損失評価
- 低電流駆動スポットサイズ・変換部付き半導体光アンプゲート
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子[III] : バンドギャップ制御成長による送受信素子
- 選択MOVPEによる双方向WDM通信用光集積素子(II) : InGaAsP/InP方向性結合器型WDMカップラ
- その場観察RIBEを用いて作製した0.98μm帯InGaAs/AlGaAs歪量子井戸レーザの発振特性